- 类目
- 隔离式栅极驱动器
- 品牌
- Chipanalog(川土微)
- 封装
- SOP-16-300mil
- SOP-14-300mil
- SOP-16
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- 隔离电压(Vrms)
- 3750
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 隔离电压(Vrms)
- 3750
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- IGBT；MOSFET
- 通道数
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- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 驱动配置
- 半桥
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- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 驱动配置
- 半桥
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- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 半桥
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- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
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- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
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- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 半桥
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- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 半桥；低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
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- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
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- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 隔离电压(Vrms)
- 5700
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- ￥7.34
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- 3750
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列器件是一系列双通道隔离式栅极驱动器，灌电流能力为 6A，拉电流峰值可达 5A。这些器件开关时间极快，同时具有较短的传播延迟（典型值为 56ns）和较小的脉冲宽度失真，非常适合在各种逆变器、隔离电源或电机控制应用中驱动频率高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 或碳化硅（SiC）晶体管。所有器件均采用芯安诺（Chipanalog）专有的电容隔离技术，集成了数字电流隔离功能
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