- 类目
- 隔离式栅极驱动器
- 品牌
- Chipanalog(川土微)
- 封装
- SOP-16-300mil
- SOP-14-300mil
- SOP-16
- LGA-13(5x5)
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- 包装
- 标签
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操作
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 拉电流(IOH)
- 5A
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- ￥6.36
- ￥5.03
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- ￥3.1
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- 4429
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交20单
- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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近期成交1单
- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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近期成交11单
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 拉电流(IOH)
- 5A
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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1000个/圆盘
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- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 拉电流(IOH)
- 5A
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 158
2500个/圆盘
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- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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1000个/圆盘
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近期成交7单
- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 3
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- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 9
1000个/圆盘
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近期成交2单
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 拉电流(IOH)
- 5A
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- ￥6.8
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- 54
1000个/圆盘
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近期成交1单
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 拉电流(IOH)
- 5A
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 对比
- ￥7.34
- ￥5.97
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- 4
1000个/圆盘
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近期成交2单
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
- 拉电流(IOH)
- 5A
描述CA-IS322x 系列器件是一系列双通道隔离式栅极驱动器，灌电流能力为 6A，拉电流峰值可达 5A。这些器件开关时间极快，同时具有较短的传播延迟（典型值为 56ns）和较小的脉冲宽度失真，非常适合在各种逆变器、隔离电源或电机控制应用中驱动频率高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 或碳化硅（SiC）晶体管。所有器件均采用芯安诺（Chipanalog）专有的电容隔离技术，集成了数字电流隔离功能
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- 对比
- ￥7.34
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2500个/圆盘
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- 10
1000个/圆盘
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近期成交1单
描述6A 灌电流/5A 拉电流、2.5kVRMS双通道隔离栅极驱动器
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- ￥6.8
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- 20
3000个/圆盘
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- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 对比
- ￥7.44
- ￥6.05
- ￥5.28
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- ￥4.04
- ￥3.86
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总额￥0
近期成交2单
- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- ￥7.34
- ￥5.97
- ￥5.22
- ￥4.36
- ￥3.99
- ￥3.81
- 现货
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1000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 驱动配置
- 半桥；低边；高边
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
- 输入侧工作电压
- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- 对比
- ￥7.34
- ￥5.97
- ￥5.22
- ￥4.36
- ￥3.99
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总额￥0
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- 半桥；低边；高边
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 通道数
- 2
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- 3V~18V
描述CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。
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- ￥7.34
- ￥5.97
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- ￥7.17
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