HD510N060SG

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

PDFN-8(5x6)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C52204618

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

100A

导通电阻(RDS(on))

4.5mΩ@10V

RoHSSMT扩展库

HD504N120S

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

PDFN-8(5x6)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C52204617

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

40V

连续漏极电流(Id)

50A

导通电阻(RDS(on))

8mΩ@10V

RoHSSMT扩展库

HL5N10

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C53238098

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

100mΩ@10V

SMT扩展库

HW03N390S

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

DFN-6(2x2)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C53664481

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.5A

导通电阻(RDS(on))

39mΩ@10V

SMT扩展库

JSM6288Q

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

QFN-24

类目

栅极驱动芯片

编号

C19077370

驱动配置

高边；低边；三相

负载类型

MOSFET

灌电流(IOL)

1.8A

拉电流(IOH)

1.5A

描述此版本为高欠压VCC≥8V；C52196409为低欠压VCC≥5V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

SMT扩展库

STM32F103RET6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-64(10x10)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C8322

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

512KB

RoHSSMT扩展库

STM32F103VCT6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-100(14x14)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C8313

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

256KB

RoHSSMT扩展库

STM32F103RBT6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-64(10x10)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C8735

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

128KB

描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

RoHSSMT扩展库

DRV8870DDAR

品牌

TI(德州仪器)

封装

HSOP-8-EP

类目

有刷直流电机驱动芯片

编号

C86590

集成FET

是

H桥数量

1

峰值电流

3.6A

导通电阻

565mΩ

描述DRV8870 具有电流调节功能的 50V、3.6A、H 桥电机驱动器

RoHSSMT扩展库

TMC2208-LA-T

品牌

TRINAMIC

封装

QFN-28-EP(5x5)

类目

步进电机驱动芯片

编号

C115944

控制电压

4.75V~36V

电机驱动电压(Vm)

4.75V~36V

输出电流

1.4A

H桥数量

2

描述TMC2202、TMC2208、TMC2220、TMC2224和TMC2225是用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。它们的引脚与许多旧款驱动器兼容。TRINAMIC先进的stealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机转矩

RoHSSMT扩展库

DRV8874PWPR

品牌

TI(德州仪器)

封装

HTSSOP-16-EP

类目

有刷直流电机驱动芯片

编号

C1855818

集成FET

是

H桥数量

1

峰值电流

9A

导通电阻

200mΩ

描述DRV8874 具有集成电流检测反馈功能的 40V、6A H 桥电机驱动器

RoHSSMT扩展库

DRV8825PWPR

品牌

TI(德州仪器)

封装

HTSSOP-28-EP

类目

步进电机驱动芯片

编号

C81582

电机驱动电压(Vm)

8.2V~45V

输出电流

2.5A

H桥数量

2

驱动类型

双极驱动

描述DRV8825 具有电流调节功能和 1/32 微步进的 45V、2.5A 双极步进电机驱动器

RoHSSMT扩展库

TMC2160A-TA-T

品牌

TRINAMIC

封装

TQFP-48-EP(7x7)

类目

步进电机驱动芯片

编号

C465948

控制电压

3.3V~5V

电机驱动电压(Vm)

8V~60V

驱动类型

双极驱动

步长细分

256

描述TMC2160/TMC2160A是一款带SPI接口的高功率步进电机驱动IC。它具备业内最先进的步进电机驱动器，拥有简单的步进/方向接口。通过使用外部晶体管，可实现高动态、高转矩驱动

RoHSSMT扩展库

DRV8837DSGR

品牌

TI(德州仪器)

封装

WSON-8-EP(2x2)

类目

有刷直流电机驱动芯片

编号

C39159

集成FET

是

峰值电流

1.9A

工作电压

1.8V~7V

导通电阻

280mΩ

描述DRV8837 12V、1.8A H 桥电机驱动器

RoHSSMT扩展库

STM32F103R8T6

品牌

ST(意法半导体)

封装

LQFP-64(10x10)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C46034

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

64KB

描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

RoHSSMT扩展库

TMC2209-LA-T

品牌

TRINAMIC

封装

QFN-28-EP(5x5)

类目

步进电机驱动芯片

编号

C2150710

控制电压

4.75V~29V

电机驱动电压(Vm)

4.75V~29V

输出电流

2A

H桥数量

2

描述TMC2209是一款用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。TMC2209的引脚排列与多款旧款驱动器以及TMC2208兼容。TRINAMIC先进的StealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机扭矩

RoHSSMT扩展库

MP6539GV-Z

品牌

MPS(芯源)

封装

QFN-28(4x5)

类目

栅极驱动芯片

编号

C5676243

驱动配置

三相

负载类型

MOSFET

驱动通道数

6

灌电流(IOL)

1A

描述MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

RoHSSMT扩展库

DRV8701ERGER

品牌

TI(德州仪器)

封装

VQFN-24-EP(4x4)

类目

栅极驱动芯片

编号

C90964

驱动配置

全桥

负载类型

MOSFET

灌电流(IOL)

300mA

拉电流(IOH)

150mA

描述DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

RoHSSMT扩展库

STM32F103T8U6

品牌

ST(意法半导体)

封装

VFQFPN-36(6x6)

类目

单片机(MCU/MPU/SOC)

编号

C19671

CPU内核

ARM Cortex-M3

CPU最大主频

72MHz

CPU位数

32 Bit

程序存储容量

64KB

描述特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

RoHSSMT扩展库

AT8236

品牌

杭州中科微

封装

ESOP-8

类目

有刷直流电机驱动芯片

编号

C2827823

H桥数量

1

输出电流

3A

峰值电流

6A

导通电阻

200mΩ

描述AT8236是一款直流有刷电机驱动器，能够以高达6A的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式，可通过对输入信号进行脉宽调制(PWM) 来控制电机转速，同时具备低功耗休眠模式。 AT8236集成同步整流功能，可显著降低系统功耗要求。

RoHSSMT扩展库

DRV8844PWPR

品牌

TI(德州仪器)

封装

HTSSOP-28

类目

步进电机驱动芯片

编号

C177807

控制电压

8V~60V

电机驱动电压(Vm)

8V~60V

输出电流

2.5A

H桥数量

2

描述DRV8844 具有双极性 (±30v) 电源和独立半桥控制的 60V、2.5A 双路 H 桥电机驱动器

RoHSSMT扩展库

AT8870-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

ESOP-8

类目

有刷直流电机驱动芯片

编号

C22462581

集成FET

是

H桥数量

1

峰值电流

3.6A

导通电阻

520mΩ

描述此款AT8870电机驱动芯片,是一款全桥DMOS有刷电机驱动芯片，宽电压供电，6.5V-40V RDS(ON)电阻为600mΩ 3.6A峰值驱动输出，2A持续输出能力，支持欠压锁定保护、低功耗休、眠模式PWM电流整流/限流/调向后面-MS代表品牌，是你PCB电路设计的最佳选择。

SMT扩展库

MP6540HGU-Z

品牌

MPS(芯源)

封装

QFN-26(5x5)

类目

无刷直流(BLDC)电机驱动芯片

编号

C5358239

驱动类型

三相

集成FET

是

半桥数量

3

输出电流

5A

描述三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以保持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5mmx5mm）封装。

RoHSSMT扩展库

DRV8818PWPR

品牌

TI(德州仪器)

封装

HTSSOP-28

类目

步进电机驱动芯片

编号

C99045

控制电压

3V~5.5V

电机驱动电压(Vm)

8V~35V

输出电流

2.5A

H桥数量

2

描述DRV8818 具有电流调节功能和 1/8 微步进的 35V、2.5A 双极步进电机驱动器

RoHSSMT扩展库