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BORN(伯恩半导体)

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- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 自恢复保险丝
- 肖特基二极管
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爆款

0603ESDA-05N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: 0603

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316054

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 100V

反向电流(Ir): 500nA

描述特性：0603inch/1608mm 引脚尺寸。是高频、低电压应用的理想 ESD 保护器件。超过 IEC 61000-4-2 测试要求。超低电容（典型值 1.5pF）。极低泄漏电流。快速响应时间。应用：高速数据端口（USB 2.0、IEEE 1394）。计算机及外设（手机、PDA、HDTV、DVD 播放器）

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RCLAMP0521P-N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: DFN1006-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316043

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 16V

峰值脉冲电流(Ipp): 3.5A@8/20us

描述静电TVS RF信号

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0402ESDA-05N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: 0402

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316049

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 50V

反向电流(Ir): 1nA

描述ESD静电管信号口

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PESD5V0S1BBN

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C314264

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 15V

峰值脉冲电流(Ipp): 5A

描述特性：75瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV接触 ±25kV空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

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SMBJ6.8CA

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: DO-214AA(SMB)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C383713

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5.8V

钳位电压: 10.5V

峰值脉冲电流(Ipp): 58.1A

描述DO-214AA 600W VRWM=6.8V 双向功率TVS 电源口

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PESD3V3S1BA-N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316037

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 10A@8/20us

描述SOT-523 3.3V 双向TVS

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BPESD0402-05ST

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: 0402

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316059

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 40V

反向电流(Ir): 10nA

描述特性：适用于高速、低电压应用的最佳ESD保护。符合RoHS标准且无卤。超低电容，0.05 pF（典型值）。低泄漏电流(<10nA)。快速响应时间(<1ns)。双向、单线保护。应用：智能手机/移动互联网设备。笔记本电脑/台式电脑

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SS34

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SMA(DO-214AC)

类目: 肖特基二极管

编号: C266553

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 500mV@3A

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 3A

描述特性：肖特基势垒整流器。保护环保护。低正向电压。反向能量测试。高电流能力。极低的热阻

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AO3401A

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C306862

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.2A

导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@2.5V

描述MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23

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PESD3V3L1BA-N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316020

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 24V

峰值脉冲电流(Ipp): 20A@8/20us

描述SOD-323/0805 功率350W VBWM=3.3V 双向空气30KA 接触30KA

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SMF3.3CA

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-123

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C6165153

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 11V

峰值脉冲电流(Ipp): 40A

描述3.3V 低漏电TVS

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10+￥0.3207
100+￥0.2661
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DSS34

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-123FL

类目: 肖特基二极管

编号: C511866

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 550mV@3A

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 3A

描述外壳：模塑塑料。极性：色带表示阴极。封装：SOD-123FL塑料封装

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3000+￥0.1517
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BSD5C051U

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C151982

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 20V

峰值脉冲电流(Ipp): 3A@8/20us

描述SOT-523 5V Cj=0.5pF 双向静电TVS 高速信号

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20+￥0.3208
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5000+￥0.1854
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BSD5C031V

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C151984

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 10A@8/20us

描述特性：100瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2：±25kV接触，±25kV空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

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20+￥0.1886
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BSD5C051V

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C151981

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 15.5V

峰值脉冲电流(Ipp): 5.5A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 100W@8/20us

描述SOT-523 5V Cj=8pF 双向静电TVS 普通信号

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20+￥0.2152
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10000+￥0.1046
20000+￥0.0992

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SS14

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SMA(DO-214AC)

类目: 肖特基二极管

编号: C266551

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 550mV@1A

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 1A

描述特性：适用于表面贴装应用。金属硅结，多数载流子传导。低功率损耗，高效率。内置应力消除，适合自动贴装。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：引脚处250℃/10秒。塑料材料通过UL 94V-0认证

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20+￥0.1496
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600+￥0.1035
5000+￥0.0803
10000+￥0.0718
20000+￥0.0671

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SMBJ15CA

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: DO-214AA(SMB)

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C151924

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 15V

钳位电压: 24.4V

峰值脉冲电流(Ipp): 24.6A@10/1000us

描述DO-214AA 600W VRWM=15V 双向功率TVS 电源口

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10+￥0.4089
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3000+￥0.2185
6000+￥0.1969
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ESD9L5.0ST5G-N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: DFN1006-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316041

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 13V

峰值脉冲电流(Ipp): 3A@8/20us

击穿电压(VBR): 7.5V

描述静电TVS

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20+￥0.1699
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AO3400A

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C344010

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 32mΩ@10V

描述MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23

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10+￥0.3732
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DSS210

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-123FL

类目: 肖特基二极管

编号: C511868

二极管配置: 独立式

正向压降(Vf): 850mV@2A

直流反向耐压(Vr): 100V

整流电流: 2A

描述特性：低正向压降。高电流能力。高可靠性。高浪涌电流能力。外延结构

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20+￥0.2687
200+￥0.2303
600+￥0.2111
3000+￥0.1483
9000+￥0.1368
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1N4148WT

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-523

类目: 开关二极管

编号: C511874

二极管配置: 独立式

耗散功率(Pd): 150mW

整流电流: 150mA

直流反向耐压(Vr): 75V

描述SOD-523小外形塑料封装。极性：色带表示阴极。安装位置：任意。

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对比

50+￥0.1003
500+￥0.0808
1500+￥0.07
5000+￥0.056
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现货: 83K

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BSD5C051L

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C151983

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 13V

峰值脉冲电流(Ipp): 3A@8/20us

描述SOT-523 5V Cj=3pF 双向静电TVS 高速信号

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20+￥0.2417
200+￥0.2037
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5000+￥0.1357
10000+￥0.1248
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品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SMA(DO-214AC)

类目: 通用二极管

编号: C266550

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 1.1V@1A

直流反向耐压(Vr): 1kV

整流电流: 1A

描述特性：低成本。扩散结。低泄漏。低正向压降。高电流能力。易于用氟利昂、酒精、异丙醇和类似溶剂清洁。塑料材料通过UL认证94V-0

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对比

50+￥0.082
500+￥0.0647
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SS34

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SMB(DO-214AA)

类目: 肖特基二极管

编号: C266556

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 500mV@3A

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 3A

描述特性：适用于表面贴装应用。带保护环的金属-半导体结。外延结构。低正向压降。高电流能力。适用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用。塑料材料通过U/L认证94V-0

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PESD5V0S1BA-N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C314260

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 21V

峰值脉冲电流(Ipp): 17A

描述空气30KA 接触30KA

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PESD5V0S1BLN

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: DFN1006-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C314269

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 13V

峰值脉冲电流(Ipp): 8A@8/20us

描述静电TVS 普通信号

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0603ESDA-18N

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: 0603

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C316055

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 18V

钳位电压: 100V

反向电流(Ir): 500nA

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SI2309

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C431496

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@4.5V

描述先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。

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B110WS

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-323

类目: 肖特基二极管

编号: C7461125

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 850mV@1A

直流反向耐压(Vr): 100V

整流电流: 1A

描述外壳：模压塑料。极性：色带表示阴极。封装：SOD-323塑料封装

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F1M

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOD-123FL

类目: 快恢复/高效率二极管

编号: C22380728

正向压降(Vf): 1.3V@1A

直流反向耐压(Vr): 1kV

整流电流: 1A

反向电流(Ir): 5uA

描述1A 1000V 快恢复二极管

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