6N138

品牌

EVERLIGHT(亿光)

封装

DIP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C5274131

正向压降(Vf)

1.3V

输出电流

60mA

隔离电压(Vrms)

5kV

输出通道数

1

RoHSSMT扩展库

6N138

品牌

ISOCOM(英国安数光)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C255743

输入类型

DC

工作电压

4.5V~7V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述由红外发光二极管组成，光耦合到高增益分离达林顿光电探测器。采用8引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD选项。

6N138M

品牌

UMW(友台半导体)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C3001991

输入类型

DC

工作电压

-500mV~18V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

RoHSSMT扩展库

6N138M

品牌

AOTE(奥特)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C20612604

输入类型

DC

工作电压

2.7V~5.5V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

描述6N138M 是一种用于单通道的高速光耦合器， 由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组 成。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。

RoHS

6N138S-TA1-L

品牌

LITEON(光宝)

封装

SMD-8P

类目

逻辑输出光耦

编号

C22451885

输入类型

DC

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

CTR-电流传输比

300%

描述这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，Vcc 和 Vo 端子可以连接在一起，以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。

SMT扩展库

6N138-L

品牌

LITEON(光宝)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C571211

输入类型

DC

工作电压

4.5V~5.5V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

描述这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速操作。如有需要，可将 Vcc 和 Vo 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子可进行增益带宽调整。

SMT扩展库

6N138SDM

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C188666

输入类型

DC

工作电压

-500mV~7V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。 该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

RoHSSMT扩展库

6N138M

品牌

onsemi(安森美)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C898994

输入类型

DC

工作电压

-500mV~7V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。 该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

RoHSSMT扩展库

CT6N138(S)(T1)

品牌

CT MICRO

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C191868

输入类型

DC

隔离电压(Vrms)

5kV

通道数

1

工作温度

-55℃~+100℃

描述-

SMT扩展库

6N138SM

品牌

ISOCOM(英国安数光)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C255744

输入类型

DC

工作电压

4.5V~7V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述由红外发光二极管组成，光耦合到高增益分离达林顿光电探测器。采用8引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD选项。

6N138SMT/R

品牌

ISOCOM(英国安数光)

封装

SMD-8P

类目

逻辑输出光耦

编号

C255745

输入类型

DC

工作电压

4.5V~7V

隔离电压(Vrms)

5kV

CTR-电流传输比

300%

HT-6N138-S1TA1

品牌

Hengtuo(恒拓电子)

封装

SMD-8P

类目

逻辑输出光耦

编号

C34376260

描述高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

SMT扩展库

6N138-500E

品牌

Broadcom(博通)

封装

SMD-8P

类目

晶体管输出光耦

编号

C17274086

RoHSSMT扩展库

6N138S1(TA)

品牌

EVERLIGHT(亿光)

封装

SMD-8P

类目

晶体管输出光耦

编号

C17341830

输入类型

DC

输出类型

光电三极管

正向压降(Vf)

1.3V

输出电流

60mA

RoHSSMT扩展库

6N138-000E

品牌

Broadcom(博通)

封装

DIP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C17508946

正向压降(Vf)

1.4V

输出电流

60mA

隔离电压(Vrms)

3.75kV

输出通道数

1

RoHS

6N138-020E

品牌

Broadcom(博通)

封装

DIP-8

类目

晶体管输出光耦

编号

C17633969

正向压降(Vf)

1.4V

输出电流

60mA

隔离电压(Vrms)

5kV

输出通道数

1

RoHS

6N138#020

品牌

Broadcom(博通)

封装

-

类目

晶体管输出光耦

编号

C21699535

RoHS

6N138#300

品牌

Broadcom(博通)

封装

-

类目

晶体管输出光耦

编号

C21984254

RoHS

6N138S

品牌

LITEON(光宝)

封装

SMD-8P

类目

晶体管输出光耦

编号

C17586977

输入类型

DC

输出类型

光电三极管

正向压降(Vf)

1.1V

输出电流

50mA

RoHS

6N139

品牌

Slkor(萨科微)

封装

DIP-8

类目

逻辑输出光耦

编号

C2904409

输入类型

DC

工作电压

-500mV~18V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述6N138/6N139由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了传统光电晶体管耦合器的速度

SMT扩展库

6N139(SL)(T1)

品牌

CT MICRO

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C453475

输入类型

DC

工作电压

-500mV~18V

隔离电压(Vrms)

5kV

CMTI(kV/us)

1kV/us

描述6N138和6N139光耦合器由一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个高增益分立式达林顿光电探测器光耦合而成。极低的0.5mA输入电流与高达2000%的高电流传输比相结合，使得该系列产品特别适用于MOS、CMOS、低功耗肖特基TTL（LSTTL）和EIA RS232C的输入接口，同时也能确保输出与CMOS以及高扇出TTL要求兼容。

SMT扩展库

ICPL-341W-500EAXW

品牌

ISOMICRON(安芯微半导体)

封装

LSOP-6

类目

栅极驱动光耦

编号

C42432187

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

CMTI(kV/us)

40kV/us

驱动侧工作电压

15V~30V

描述IGBT栅极驱动光耦，峰值电流3A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

RoHS

ICPL-343W-500EAXW

品牌

ISOMICRON(安芯微半导体)

封装

LSOP-6

类目

栅极驱动光耦

编号

C42432178

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

CMTI(kV/us)

40kV/us

驱动侧工作电压

30V

描述IGBT栅极驱动光耦，峰值电流5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6,宽体

RoHS

TLP5701P-AXW

品牌

ISOMICRON(安芯微半导体)

封装

LSOP-6

类目

栅极驱动光耦

编号

C42432182

负载类型

IGBT；MOSFET

通道数

1

CMTI(kV/us)

20kV/us

驱动侧工作电压

30V

描述IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1.5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

RoHSSMT扩展库