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高速光耦
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
1kV/us

描述输入类型:DC,隔离电压(rms): 5kV,传播延迟tpLH/tpHL: 60us;25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, DIP8

RoHS

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  • 对比
9
  • 2.142
  • 1.683
  • 1.485
  • 1.242
  • 1.134
  • 1.062
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现货
1074

45/

总额0

近期成交3单

高速光耦
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
1kV/us

描述输入类型:DC,隔离电压(rms): 5kV,传播延迟tpLH/tpHL: 60us;25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, SMD8

RoHS

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  • 对比
9
  • 2.196
  • 1.737
  • 1.539
  • 1.296
  • 1.188
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现货
815

1000/圆盘

总额0

近期成交17单

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139
品牌
Slkor(萨科微)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C2904409
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
1kV/us

描述6N138/6N139由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管,减少了基极 - 集电极电容,从而提高了传统光电晶体管耦合器的速度

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SMT补贴嘉立创库存8
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  • 2.38
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  • 1.77
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  • 1.56
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现货
8

45/

总额0

近期成交2单

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139
品牌
CT MICRO
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C191869
输入类型
DC
隔离电压(Vrms)
5kV
通道数
1
工作温度
-55℃~+100℃

描述-

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  • 1.5
  • 1.4
  • 1.375
订货3-5个工作日
库存
1000
增量
100
最小包装
1000个

总额0

6N139
6N139
品牌
VISHAY(威世)
封装
DIP-8
类目
晶体管输出光耦
编号
C5224104
正向压降(Vf)
1.4V
输出电流
60mA
隔离电压(Vrms)
5.3kV
输出通道数
1

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  • 6.9
  • 5.7
  • 4.84
  • 4.09
  • 3.76
  • 3.61
需订货

50/

总额0

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139
品牌
ISOCOM(英国安数光)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C255746
输入类型
DC
工作电压
4.5V~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CTR-电流传输比
400%
  • 收藏
  • 对比
6N139S(TA)
6N139S(TA)
品牌
EVERLIGHT(亿光)
封装
SMD-8P
类目
晶体管输出光耦
编号
C142364
输入类型
DC
正向压降(Vf)
1.3V
输出电流
60mA
隔离电压(Vrms)
5kV

描述共模瞬变抗扰度CMTI:1KV/us 传播延迟TPLH/TPHL:60us/25us

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SMT补贴嘉立创库存2181
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9
  • 2.3855
  • 1.8938
  • 1.683
  • 1.27809
  • 1.1727
  • 1.10952
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现货
2065

1000/圆盘

总额0

近期成交9单

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139M
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C4071
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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SMT补贴嘉立创库存2263
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  • 4.38
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  • 2.82
  • 2.66
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现货
2261

50/

总额0

近期成交13单

光耦-达林顿光耦
AT6N139-CuH-D
品牌
AOTE(奥特)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C20612707
输入类型
DC
工作电压
18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述AT6N139通过发光二极管和集成高增益光检测器提供输入与输出之间高电流传输比。0.5mA的LED电流在0-70°C的工作温度范围内可保证400%的最小电流传输比。可适用于CMOS、LSTTL或其他低功耗应用中。 广泛应用于:低输入电流接口、EIA RS-232C接口、117V交流电压状态指示器、低功耗系统–接地隔离

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SMT补贴嘉立创库存1061
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9
  • 1.602
  • 1.395
  • 1.305
  • 1.197
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  • 1.116
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1061

45/

总额0

近期成交100单+

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139SDM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C42186
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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SMT补贴嘉立创库存105
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  • 4.89
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  • 3.1
  • 2.92
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现货
28

1000/圆盘

总额0

近期成交30单

光耦-达林顿光耦
AT6N139-CuH-S
品牌
AOTE(奥特)
封装
SMD-8P
类目
逻辑输出光耦
编号
C20612708
输入类型
DC
工作电压
18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述AT6N139通过发光二极管和集成高增益光检测器提供输入与输出之间高电流传输比。0.5mA的LED电流在0-70°C的工作温度范围内可保证400%的最小电流传输比。可适用于CMOS、LSTTL或其他低功耗应用中。 广泛应用于:低输入电流接口、EIA RS-232C接口、117V交流电压状态指示器、低功耗系统–接地隔离

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SMT补贴嘉立创库存608
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  • 1.782
  • 1.566
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  • 1.188
  • 1.116
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608

2000/圆盘

总额0

近期成交1单

工业级 达林顿光耦 符合欧盟RoHS指令;ROHS、HF(无卤)安全认证:CQC、VDE、UL 应用于工业自动化与电力控制系统,主要做整流及电路保护的作用
XL6N139S-G
品牌
XINGLIGHT(成兴光)
封装
SMD-8P
类目
逻辑输出光耦
编号
C53284295

描述工业级 达林顿光耦 符合欧盟RoHS指令;ROHS、HF(无卤)安全认证:CQC、VDE、UL 应用于工业自动化与电力控制系统,主要做整流及电路保护的作用

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  • 2.3581
  • 1.8641
  • 1.6525
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现货
1000

1000/圆盘

总额0

工业级 达林顿光耦 符合欧盟RoHS指令;ROHS、HF(无卤)安全认证:CQC、VDE、UL 应用于工业自动化与电力控制系统,主要做整流及电路保护的作用
XL6N139-G
品牌
XINGLIGHT(成兴光)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C53284294

描述工业级 达林顿光耦 符合欧盟RoHS指令;ROHS、HF(无卤)安全认证:CQC、VDE、UL 应用于工业自动化与电力控制系统,主要做整流及电路保护的作用

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  • 1.2402
  • 1.2126
  • 1.1941
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现货
45

65/

总额0

高速光耦
6N139-SMD8
品牌
拓朴微
封装
SMD-8P
类目
逻辑输出光耦
编号
C47361087
输入类型
DC
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us
CTR-电流传输比
400%

描述6N139 是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。采用 8 引脚封装。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存788
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9
  • 3.681
  • 2.979
  • 2.628
  • 2.286
  • 2.079
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现货
788

1000/圆盘

总额0

近期成交2单

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139SM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C898996
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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SMT补贴嘉立创库存820
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  • 6.62
  • 5.35
  • 4.71
  • 4.09
  • 3.71
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820

50/

总额0

近期成交1单

高速光耦合器,100 kBd,低输入电流,光电二极管达林顿输出
6N139-X009T
品牌
VISHAY(威世)
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C3001650
输入类型
DC
隔离电压(Vrms)
5.3kV
CMTI(kV/us)
0.5V/ns
CTR-电流传输比
400%

描述高共模瞬态抗扰度和非常高的电流比,以及5300 VRMS绝缘,通过将LED与集成高增益光电探测器耦合在一个八引脚双列直插式封装中实现。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行。访问基极端子可以调整增益带宽。适用于涉及CMOS和低功耗TTL应用的低功耗逻辑应用。保证仅需0.5 mA的LED电流即可实现400%的电流传输比。

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SMT补贴嘉立创库存15
私有库下单最高享92折
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9.5
  • 8.66
  • 8.48
  • 8.36
  • 7.828
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现货
15

1000/圆盘

总额0

近期成交2单

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139S-TA1-L
品牌
LITEON(光宝)
封装
SOP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C571213
输入类型
DC
工作电压
4.5V~5.5V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,以在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要,Vcc 和 Vo 端子可连接在一起,以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存124
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  • 2.89
  • 2.28
  • 2.02
  • 1.69
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现货
117

1000/圆盘

总额0

近期成交5单

光耦合器
CY6N139
品牌
OCIC(卓睿科)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C3018822
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CTR-电流传输比
400%

描述CY6N138、CY6N139光耦合器由一个AlGaAs LED和一个高增益分离达林顿光电探测器组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容,用于光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚DIP/SMD封装,具有不同的引线形成选项。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12
私有库下单最高享92折
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  • 1.3
  • 1.27
  • 1.26
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现货
12

50/

总额0

近期成交1单

光耦合器
CY6N139S(TP1)
品牌
OCIC(卓睿科)
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C3018823

描述CY6N138、CY6N139光耦合器由一个AlGaAs LED和一个高增益分离达林顿光电探测器组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容,用于光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚DIP/SMD封装,具有不同的引线形成选项。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100
私有库下单最高享92折
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  • 2.58
  • 2.04
  • 1.8
  • 1.51
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现货
100

1000/圆盘

总额0

近期成交3单

低输入电流、高增益光耦合器
6N139-300E
品牌
Broadcom(博通)
封装
DIP-8
类目
晶体管输出光耦
编号
C17292832

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20
私有库下单最高享92折
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  • 对比
  • 8.73
  • 8.54
  • 8.41
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现货
20

50/

总额0

低输入电流、高增益光耦合器
6N139-000E
品牌
Broadcom(博通)
封装
DIP-8
类目
晶体管输出光耦
编号
C691909
输入类型
DC
输出类型
达林顿晶体管
输出电流
60mA
隔离电压(Vrms)
3.75kV

描述这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。若需要,可将 VCC 和 VO 端子连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5
私有库下单最高享92折
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  • 15.37
  • 13.12
  • 11.71
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5

500/

总额0

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139SM
品牌
ISOCOM(英国安数光)
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C255747
输入类型
DC
工作电压
4.5V~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
1kV/us

描述由红外发光二极管组成,光耦合到高增益分离达林顿光电探测器。采用8引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD选项。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13
私有库下单最高享92折
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  • 2.29
  • 1.78
  • 1.57
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现货
13

50/

总额0

近期成交1单

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139(S)(T1)(HZD)
品牌
CT MICRO
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C191870
输入类型
DC
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
1kV/us
CTR-电流传输比
400%

描述6N138和6N139光耦合器由一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个高增益分立式达林顿光电探测器光耦合而成。极低的0.5mA输入电流与高达2000%的高电流传输比相结合,使得该系列产品特别适用于MOS、CMOS、低功耗肖特基TTL(LSTTL)和EIA RS232C的输入接口,同时也能确保输出与CMOS以及高扇出TTL要求兼容。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
私有库下单最高享92折
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  • 对比
  • 3.46
  • 2.73
  • 2.42
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现货
4

1000/圆盘

总额0

DC输入 隔离电压(rms):5000V
OR-6N139
品牌
Orient(奥伦德)
封装
DIP-8
类目
晶体管输出光耦
编号
C2692143
输出类型
光电三极管
正向压降(Vf)
1.1V
输出电流
60mA
隔离电压(Vrms)
5kV

描述消费级

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1
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
OR-6N139S-TA1
品牌
Orient(奥伦德)
封装
SOP-8
类目
晶体管输出光耦
编号
C2692144
输入类型
DC
输出类型
光电三极管
正向压降(Vf)
1.1V
输出电流
50mA

描述消费级

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DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
6N139-500E
品牌
Broadcom(博通)
封装
SMD-8P
类目
逻辑输出光耦
编号
C691910
输入类型
DC
工作电压
4.5V~18V
隔离电压(Vrms)
3.75kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速操作。如有需要,可将VCC和V₀端子连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。

RoHS

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DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139TVM
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C898998
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

RoHS

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DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139VM
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C898999
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139-L
品牌
LITEON(光宝)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C571212
输入类型
DC
隔离电压(Vrms)
5kV
通道数
1
工作温度
-40℃~+85℃

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DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139(SL)(T1)
品牌
CT MICRO
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C453475
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
1kV/us

描述6N138和6N139光耦合器由一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个高增益分立式达林顿光电探测器光耦合而成。极低的0.5mA输入电流与高达2000%的高电流传输比相结合,使得该系列产品特别适用于MOS、CMOS、低功耗肖特基TTL(LSTTL)和EIA RS232C的输入接口,同时也能确保输出与CMOS以及高扇出TTL要求兼容。

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