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 恒电恒压降压电源模块

描述5a大功率降压模块dc-dc直流可调电源模块 恒压降压电源模块

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近期成交8单

1A 30V
UTC3842-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
DIP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C42422139
工作电压
30V
输出电流
1A
工作温度
0℃~+70℃@(TA)

描述是专为离线和DC-DC开关电源应用设计的频电流型PWM控制器。内部包含温度补偿精密基准、供精密占空比调节用的可调振荡器、高增益误差放大器、电流传感比较器和适合作功率MOSFET驱动用的大电流推挽输出级以及单周期徊滞式限流欠压锁定、死区可调、单脉冲计数挂锁等保护电路。采用DIP8、SOP8的封装形式封装。

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近期成交6单

1A 30V
UC3843-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C42422132
工作电压
30V
输出电流
1A
开关频率
47kHz~57kHz
工作温度
0℃~+70℃@(TA)

描述UC3843是专为离线和DC-DC开关电源应用设计的频电流型PWM控制器。内部包含温度补偿精密基准、供精密占空比调节用的可调振荡器、高增益误差放大器、电流传感比较器和适合作功率MOSFET驱动用的大电流推挽输出级以及单周期回滞式限流欠压锁定、死区可调、单脉冲计数拴锁等保护电路。UC3843采用DIP8或SOP8形式封装。

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近期成交13单

电流型脉宽调制器
UC3842-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C42422130
输出电压
8V~30V
开关频率
47kHz~57kHz
工作温度
0℃~+70℃@(TA)
输出通道数
1

描述专为离线和DC-DC开关电源应用设计的频电流型PWM控制器。内部包含温度补偿精密基准、供精密占空比调节用的可调振荡器、高增益误差放大器、电流传感比较器和适合作功率MOSFET驱动用的大电流推挽输出级以及单周期徊滞式限流欠压锁定、死区可调、单脉冲计数挂锁等保护电路。采用DIP8、SOP8的封装形式封装。

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2500/圆盘

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近期成交9单

升降压型 1A 30V
UC3842AN-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
DIP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C42422129
功能类型
升压型;降压型;升降压型
工作电压
30V
输出电流
1A
开关频率
500kHz

描述专为离线和DC-DC开关电源应用设计的频电流型PWM控制器。内部包含温度补偿精密基准、供精密占空比调节用的可调振荡器、高增益误差放大器、电流传感比较器和适合作功率MOSFET驱动用的大电流推挽输出级以及单周期徊滞式限流欠压锁定、死区可调、单脉冲计数挂锁等保护电路。采用DIP8、SOP8的封装形式封装。

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近期成交3单

升降压型 12V~25V
UC3843AN-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
DIP-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C42422131
功能类型
升压型;降压型;升降压型
工作电压
12V~25V
开关频率
500kHz
工作温度
0℃~+70℃@(TA)

描述UC3843是专为离线和DC-DC开关电源应用设计的频电流型PWM控制器。内部包含温度补偿精密基准、供精密占空比调节用的可调振荡器、高增益误差放大器、电流传感比较器和适合作功率MOSFET驱动用的大电流推挽输出级以及单周期回滞式限流欠压锁定、死区可调、单脉冲计数拴锁等保护电路。UC3843采用DIP8或SOP8形式封装。

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近期成交1单

TDSEMIC-246A
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
-
类目
其他模块
编号
C52437610

描述指南针罗盘模块 三轴磁场传感器

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hFE:120-200 NPN 电流:500mA 电压:25V
S8050 J3Y
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42441446
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述hFE:120-200

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3000/圆盘

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近期成交100单+

单键电容式触摸按键IC
TTP223-BA6-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-23-6
类目
触摸芯片
编号
C42422127
通道数
1
芯片功能
电容式触摸
是否自锁
工作电压
2V~5.5V

描述内置LDO 抗干扰 单键触摸芯片

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3000/圆盘

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近期成交100单+

电压:40V 电流:1A
1N5819W S4
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C42441798
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
600mV@200mA
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
350mA

描述肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

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SMT补贴嘉立创库存198K+
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3000/圆盘

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近期成交100单+

NPN 电流:1.5A 电压:25V
SS8050 Y1
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42441445
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述本款SOT-23封装NPN型三极管,具有25V高耐压VCEO及1.5A大电流处理能力,放大倍数稳定在200至300区间,特别适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。

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SMT补贴嘉立创库存189K+
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3000/圆盘

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近期成交100单+

100V 300mA
1N4148WS T4
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-323
类目
开关二极管
编号
C46550844
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
300mA

描述这款SOD-323封装二极管,适用于精密电子电路设计。具备100V的高反向耐压,提供0.3A的正向电流能力,且具有较低的正向导通电压VF为1.25V,确保高效能与低功耗表现。紧凑型SOD-323封装适应现代小型化需求,广泛应用于信号保护、稳压及高频整流场景。

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SMT补贴嘉立创库存233K+
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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

单键电容式触摸按键IC
TTP223-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-23-6
类目
触摸芯片
编号
C42422128
通道数
1
芯片功能
电容式触摸
是否自锁
工作电压
2V~5.5V

描述内置LDO 抗干扰 单键触摸芯片

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13K+

3000/圆盘

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近期成交100单+

PNP 电流:1.5A 电压:25V
SS8550 Y2
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42441797
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHS

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3000/圆盘

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近期成交94单

带键盘扫描接口的LED驱动控制专用IC
HTM1650-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOP-16
类目
LED驱动
编号
C46683636
工作电压(DC)
3V~5.5V
工作温度
-40℃~+85℃

描述支持两种显示模式(8段×4位和7段×4位),带键盘扫描的LED驱动IC

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SMT补贴嘉立创库存19K+
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19K+

4000/圆盘

总额0

近期成交100单+

100V 300mA
1N4148W T4
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-123
类目
开关二极管
编号
C42441811
正向压降(Vf)
1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
300mA
耗散功率(Pd)
400mW

描述该开关二极管适用于电源转换、信号切换及电路保护等电子设备

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SMT补贴嘉立创库存83K+
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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:0.6A 电压:160V
MMBT5551 G1
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C46956352
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存52K+
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3000/圆盘

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近期成交74单

100V 200mA
LL4148 LL34
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
LL-34
类目
开关二极管
编号
C42441807
正向压降(Vf)
1V@10mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
200mA
耗散功率(Pd)
500mW

描述这款开关二极管以其0.2A的电流和100V的电压额定值,确保了在各种应用场景中的稳定性能。其1V的低压降和5uA的反向电流进一步提升了效率。此外,0.5A的浪涌电流承受能力使其能够轻松应对突发的过载情况。

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SMT补贴嘉立创库存97K+
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2500/圆盘

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近期成交87单

双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流:5.1A
SMF24CA
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-123FL
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C46956411
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
24V
钳位电压
38.9V
峰值脉冲电流(Ipp)
5.1A

描述有效防止浪涌和瞬变对电子设备造成损害,是中高电压环境下电源线、信号接口的理想防护组件。

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SMT补贴嘉立创库存45K+
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3000/圆盘

总额0

近期成交44单

双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流:21.7A
SMF5.0CA
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-123FL
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C46956338
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
5V
钳位电压
9.2V
峰值脉冲电流(Ipp)
21.7A

描述该款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为5V系统提供高效过电压保护。拥有出色的双向峰值脉冲电流IPP能力高达21.7A,在正负方向均可快速响应瞬态电压变化,并有效钳位至安全水平,防止浪涌、静电放电对电路造成损害,适用于各类低电压高速接口和电源线的瞬态防护需求。

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近期成交77单

双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流:8.3A
SMAJ30CA YK
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C46956329
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
30V
钳位电压
48.4V
峰值脉冲电流(Ipp)
8.3A

描述有效防止静电放电和过压对电路造成损害,尤其适用于高速数据线、1/0接口等低电压系统的瞬态防护需求。

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近期成交41单

3.3V 100mA 36V
HT7533-1
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-89
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C22466418
输出类型
固定
工作电压
36V
输出电压
3.3V
输出电流
100mA

描述HT75xx-1是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器。最大输出电流为100mA且允许的最高输入电压为36V。具有几个固定的输出电压,范围从2.5V到5.0V。

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1000/圆盘

总额0

近期成交55单

5V 100mA 36V
HT7550-1
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-89
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C22466421
输出类型
固定
工作电压
36V
输出电压
5V
输出电流
100mA;150mA

描述HT75xx- 1是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器。最大输出电流为100mA且允许的最高输入电压为36V。具有几个固定的输出电压,范围从2.5V到5.0V。

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近期成交70单

LCD控制驱动电路
HT1621B-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SSOP-48-300mil
类目
LCD驱动
编号
C42463950
工作电压
2.4V~5.2V
接口类型
3线串行接口
占空比
1/4,1/3,1/2
工作电流
60uA

描述SPI接口 HT1621B-TD是用来对MCU 的I/O 口进行扩展的外围设备。显示矩阵为32x4,是一个128 点阵式存储器映射多功能LCD 驱动电路。HT1621B-TD的软件特性使它很适合应用于LCD 显示,包括LCD 模块和显示子系统。

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近期成交24单

基于Arm Cortex - M3内核的32位微控制器
STM32F103C8T6-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
LQFP-48(7x7)
类目
单片机(MCU/MPU/SOC)
编号
C47108719
CPU内核
ARM Cortex-M3
CPU最大主频
96MHz
程序存储容量
64KB
程序存储器类型
FLASH

描述拥有 64KB 的闪存(Flash),可用于存储程序代码;还有 20KB 的随机存取存储器(SRAM),供程序运行时数据存储。烧录需使用第三方烧录器。请勿使用ST-link以免报错。

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70V 200mA
BAV99
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C46550851
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)
70V
整流电流
200mA

描述我们提供的SOT-23封装开关二极管,专为高效能电路设计。它具有高达70V的反向击穿电压(VR)和0.2A的最大正向电流(IF),在正向导通时提供低至1.25V的正向压降(VF)。这款小型、表面贴装器件以其快速切换性能与可靠耐用性而著称,广泛应用于电源转换、电子开关电路以及各类要求高速开断的场合。

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耐压:5.1V 电流:2uA
BZT52C5V1 W8
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-123
类目
稳压二极管
编号
C49023547
二极管配置
1个独立式
稳压值(标称值)
5.1V
反向电流(Ir)
2uA
稳压值(范围)
4.8V~5.4V

描述500mW功率 5V1 ±5%

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近期成交12单

耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V
BZT52C12 WH
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-123
类目
稳压二极管
编号
C49023501
二极管配置
1个独立式
稳压值(标称值)
12V
反向电流(Ir)
100nA@8V
稳压值(范围)
11.4V~12.7V

描述500mW功率 12V ±5%

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近期成交29单

耐压:5.6V 电流:1uA
BZT52C5V6 W9
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-123
类目
稳压二极管
编号
C49023549
稳压值(标称值)
5.6V
反向电流(Ir)
1uA
稳压值(范围)
5.2V~6V
耗散功率(Pd)
500mW

描述500mW功率 5.6V ±5%

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双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:30A
SD05C
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOD-323
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C46956344
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
5V
钳位电压
12V
峰值脉冲电流(Ipp)
30A

描述此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用打造。具有5V高耐压VRWM特性,能在严苛条件下防止过电压损害。其强大之处在于峰值脉冲电流IPP高达25A,能够有效吸收和抑制高强度ESD冲击。尽管结电容CJ为65pF,但仍能兼顾高速信号线路的抗干扰性能,是针对工业级高速接口和高可靠性系统设计的理想ESD保护器件。

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