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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 120V
- 连续漏极电流(Id)
- 300A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：120V，电流：300A,Rdson：1.9mR
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个
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