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- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 140A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9.5mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 320W
描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：140A,Rdson：8.3mR
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