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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 350A
- 导通电阻(RDS(on))
- 0.65mΩ@10V；0.85mΩ@4.5V
描述大电流SGT MOSFET产品
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个
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