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操作
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 230A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1mΩ@10V;1.5mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 300W
描述大电流SGT MOSFET产品
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