- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- onsemi(安森美)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- LRC(乐山无线电)
- TECH PUBLIC(台舟)
- ChipNobo(无边界)
- DIODES(美台)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- DFN1006-3(SOT-883)
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- ￥0.1525
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- ￥0.1038
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- 30K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述特性：湿度敏感度等级：1。 ESD 评级-人体模型：>4000 V。 ESD 评级-机器模型：>400 V。 产品材料符合 RoHS 要求
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- 20K+
3000个/圆盘
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述特性：湿度敏感度等级：1。 ESD 评级-人体模型：> 4000V。 ESD 评级-机器模型：> 400V。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力
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- ￥0.1254
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3000个/圆盘
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- 9000
3000个/圆盘
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述1.高频共模阻抗高，噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率，可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路；LVDS，用于液体显示面板的面板线，图形卡等
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- ￥0.04655
- ￥0.03572
- ￥0.029735
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- 2950
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流IC和65V的集电极-发射极电压VCEO，适用于需要较高耐压的应用环境。其直流电流增益HFE范围为200至450，确保了信号放大的高效率与稳定性。特征频率FT达到100MHz，适合于中高速开关及放大应用。该三极管非常适合用于构建家用电器中的控制电路、无线通信设备中的信号处理单元，以及任何需要在紧凑设计中提供可靠性能的电子装置。
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- ￥0.23355
- ￥0.18603
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- 广东仓
- 230
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管是一款设计精良的BJT，其最大集电极电流IC可达0.1A，同时拥有65V的最大集射极电压VCEO，适用于多种低压应用。该三极管的电流增益HFE范围在200至450之间，提供了可靠的放大性能。其特征频率FT为100MHz，确保了在高频信号处理中的稳定性。此元件适用于音频放大、无线通信设备中的信号增强以及其他消费电子产品中的小信号处理领域。
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- ￥0.186472
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
RoHS
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- 1KK
- 增量
- 30000
- 最小包装
- 30000个
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
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- ￥2.82
- ￥2.53
- 广东仓
- 36
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
RoHS
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- ￥0.06864
- 库存
- 10KK
- 增量
- 10000
- 最小包装
- 10000个
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 1W
描述特性：低集电极-发射极饱和电压。 超小型无铅表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
RoHS
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- 对比
- ￥0.35724
- 库存
- 1KK
- 增量
- 10000
- 最小包装
- 10000个
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
SMT扩展库
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- ￥0.5137
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