BC846BL_BC846BL采购信息-立创电子元器件商城

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- 三极管(BJT)
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LBC846BLT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C12733

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 225mW

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SMT补贴嘉立创库存10K+

50+￥0.088
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广东仓: 10K

江苏仓: 18K+

3000个/圆盘

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近期成交48单

BC846BLT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C82477

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+

50+￥0.1144
500+￥0.0905
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广东仓: 12K+

江苏仓: 8000

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近期成交100单+

BC846BLT3G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C513271

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存22K+

20+￥0.1621
200+￥0.1269
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广东仓: 21K+

10000个/圆盘

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近期成交25单

SBC846BLT3G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C896883

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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5+￥0.2898
50+￥0.2426
150+￥0.219
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广东仓: 0

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S-LBC846BLT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C383288

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 225mW

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SMT补贴嘉立创库存79

20+￥0.1373
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广东仓: 60

江苏仓: 1320

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BC846BLT1G-CN

品牌: ChipNobo(无边界)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42458978

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 200mW

直流电流增益(hFE): 450@2mA,5V

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50+￥0.022705
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SBC846BLT1G-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C46682419

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 200mW

特征频率(fT): 100MHz

描述这款NPN型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流IC和65V的集电极-发射极电压VCEO，适用于需要较高耐压的应用环境。其直流电流增益HFE范围为200至450，确保了信号放大的高效率与稳定性。特征频率FT达到100MHz，适合于中高速开关及放大应用。该三极管非常适合用于构建家用电器中的控制电路、无线通信设备中的信号处理单元，以及任何需要在紧凑设计中提供可靠性能的电子装置。

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HSBC846BLT3G

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42389337

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 200mW

描述这款NPN型三极管是一款设计精良的BJT，其最大集电极电流IC可达0.1A，同时拥有65V的最大集射极电压VCEO，适用于多种低压应用。该三极管的电流增益HFE范围在200至450之间，提供了可靠的放大性能。其特征频率FT为100MHz，确保了在高频信号处理中的稳定性。此元件适用于音频放大、无线通信设备中的信号增强以及其他消费电子产品中的小信号处理领域。