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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 220A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.1mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-140A,Rdson：3.1mR
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