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操作
- 输入电压(Vin)
- 3.3V~36V
- FET类型
- 外置FET
- 栅极驱动电压
- 12V
- 正向压降(Vf)
- 20mV
描述MPQ5850是一款智能二极管控制器,可驱动外部N沟道MOSFET,以替代肖特基二极管实现反向输入保护。该器件的20mV超低压降可将功率损耗降至最低,并能实现较低的最小输入电压,这使得MPQ5850非常适合汽车应用中的冷启动条件。4μA的关断电流也使该器件成为电池供电应用的理想选择。超快速瞬态响应满足严格的ISO16750要求。MPQ5850集成了内部升压电路,即使在低输入电压(VIN)下,也能提供开启外部N沟道MOSFET所需的升压电压。漏极开路的电源正常信号可指示外部N沟道MOSFET何时完全导通。MPQ5850采用TSOT23 - 8(2mmx3mm)封装。
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