晶体管_晶体管采购信息-立创电子元器件商城

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爆款

SS8050

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420370

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:Y1

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爆款

MMBT3904

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420353

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:100-300，丝印:1AM

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爆款

S8050

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069125

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:J3Y

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爆款

SS8550

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420371

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:Y2

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爆款

S8050

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C364312

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。

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2N7002K

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22379475

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V；1.1Ω@4.5V

描述特性：VDS = 60V。I0 = 340mA。RDS(on)@VGS = 10V < 5Ω。RDS(on)@VGS = 4.5V < 5.3Ω。ESD protected。Rugged and reliable。应用：Battery operated systems。Solid-state relays

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2N7002

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420321

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V

描述特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

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S8550

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069126

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:2TY

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MMBT5401

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420356

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:100-300，丝印:2L

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MMBT3906

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420354

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：与MMBT3904互补。功率耗散为200mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

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S9014

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069130

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:200-450，丝印:J6

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S9013

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069127

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:J3

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广东仓: 248K+

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爆款

SS8050

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C431710

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存859K+

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BSS138

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420339

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V；1.2Ω@4.5V

描述特性：VDSS = 50V。 ID = 340mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 2.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 3.0Ω。沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。负载开关

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广东仓: 68K+

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近期成交100单+

MMBT4401

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420355

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:100-300，丝印:2X

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存259K+

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50+￥0.0849
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24000+￥0.0473
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广东仓: 245K+

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MMBT2222A

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420351

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-300，丝印:1P

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SMT补贴嘉立创库存74K+

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50+￥0.0942
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24000+￥0.0504
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广东仓: 62K+

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BSS84

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420340

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 3.3Ω@10V；3.5Ω@4.5V

描述特性：VDSS = -60V。 I0 = -0.17A。 RDS(on)@VGS = -10V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 10Ω。沟槽功率低压MOSFET技术。低RDS(ON)。应用：视频监视器。负载开关

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SMT补贴嘉立创库存63K+

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50+￥0.1113
500+￥0.0929
3000+￥0.0687
6000+￥0.0626
24000+￥0.0573
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广东仓: 62K+

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BSS123

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420338

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V；10Ω@4.5V

描述特性：VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。沟槽功率低压MOSFET技术。便携式设备的负载开关。应用：电池保护。负载开关

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SMT补贴嘉立创库存117K+

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50+￥0.1146
500+￥0.0962
3000+￥0.0743
6000+￥0.0681
24000+￥0.0628
51000+￥0.06

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广东仓: 110K+

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BC847C

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420337

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:420-800，丝印:1G

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SMT补贴嘉立创库存166K+

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50+￥0.0596
500+￥0.0496
3000+￥0.0378
6000+￥0.0345
24000+￥0.0316
51000+￥0.0301

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广东仓: 166K+

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BC846B

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069134

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:200-450，丝印:1B

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SMT补贴嘉立创库存85K+

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50+￥0.0725
500+￥0.0575
3000+￥0.0461
6000+￥0.0411
24000+￥0.0368
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广东仓: 80K+

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S9012

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069129

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:2T1

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存487K+

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50+￥0.0773
500+￥0.0612
3000+￥0.0488
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24000+￥0.0388
51000+￥0.0362

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广东仓: 483K+

3000个/圆盘

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2SK3018

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20069148

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100mA

导通电阻(RDS(on)): 8Ω@4V；13Ω@2.5V

描述特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口负载开关

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SMT补贴嘉立创库存155K+

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20+￥0.1457
200+￥0.1165
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3000+￥0.0845
9000+￥0.0761
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广东仓: 155K

3000个/圆盘

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2SC1623

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420324

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:200-400，丝印:L6

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存121K+

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BC847B

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069135

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:200-450，丝印:1F

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MMST3904

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-323

类目: 三极管(BJT)

编号: C22388837

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:100-300，丝印:K2N

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MMBT2907A

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420352

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：与MMBT2222A互补。功率耗散：250mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260℃

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2N7002W

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420322

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V

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BSS138W

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C28646265

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 220mA

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V；6Ω@4.5V

描述特性：VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

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MMBTA92

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069146

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述hFE:100-300，丝印:2D

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HL3400

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22469448

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.6A

导通电阻(RDS(on)): 21mΩ@10V；33mΩ@2.5V；25mΩ@4.5V

描述特性：VDS = 30V。 ID = 5.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 27mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 33mΩ。 Trench Power LV MOSFET technology。 Voltage controlled small signal switch。应用：Battery protection。 Load switch

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