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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11.5Ω@10V
描述UTC 1N60是一款高压MOSFET，其设计具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高稳健的雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用中。
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