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1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
2301V
品牌
HL(富海微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7499856
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2.3A
导通电阻(RDS(on))
95mΩ

描述2301V 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2301V 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存9935
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近期成交27单

P沟道 20V 2.3A
XR2301V
品牌
XNRUSEMI(新锐)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42456911
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2.3A
导通电阻(RDS(on))
125mΩ@4.5V

描述是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求，具备完整功能可靠性认证。

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9折
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近期成交8单

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
ME2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20755373
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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近期成交3单

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
STS2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7524983
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

RoHS

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订货3-5个工作日
库存
3000
增量
1
最小包装
3000个
个

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1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
AO2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C693104
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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SMT补贴嘉立创库存39
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近期成交4单

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
SSF2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20417444
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
80mΩ@2.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
G2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19190146
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.5A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存90
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近期成交1单

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
BM2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20754957
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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SMT补贴嘉立创库存10
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  • ￥0.185725
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近期成交1单

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
SPP2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7525102
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
ST2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5137382
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15
私有库下单最高享92折
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近期成交1单

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
MEM2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C710017
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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库存
3000
增量
1
最小包装
1个
个

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1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
KD2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C725104
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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  • 对比
  • ￥0.243
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  • ￥0.225
  • ￥0.207
  • ￥0.2016
订货3-5个工作日
库存
3000
增量
1
最小包装
1个
个

总额￥0

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
CES2301-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C693419
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存30
私有库下单最高享92折
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8.5折
  • ￥0.24293
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3000个/圆盘

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10uH ±15%
2301-V-RC
品牌
BOURNS
封装
插件,D=1.3mm
类目
功率电感
编号
C1329695
电感值
10uH
精度
±15%
额定电流
20A
直流电阻(DCR)
5mΩ

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15
私有库下单最高享92折
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  • ￥26.41
  • ￥25.8
  • ￥25.4
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15

50个/袋

个

总额￥0

TLP2301(V4-TPL,E)
TLP2301(V4-TPL,E)
品牌
TOSHIBA(东芝)
封装
SOP-4
类目
逻辑输出光耦
编号
C3003191
  • 收藏
  • 对比
  • ￥1.062
  • ￥1.035
  • ￥0.999
  • ￥0.972
订货3-5个工作日
库存
60K
增量
3000
最小包装
3000个
个

总额￥0

1000uF ±20% 35V
LKME2301V102MF
品牌
Ymin(永铭)
封装
插件,D10xL23mm
类目
直插铝电解电容
编号
C442887
容值
1000uF
精度
±20%
额定电压
35V
脚间距
5mm

SMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • ￥1.4426
  • ￥1.1361
  • ￥1.0047
  • ￥0.8407
  • ￥0.7677
  • ￥0.7239
需订货
广东仓
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250个/袋

个

总额￥0

5962-0722301VFA
5962-0722301VFA
品牌
TI(德州仪器)
封装
CFP-16
类目
差分运放
编号
C4370878
放大器数
单路
共模抑制比(CMRR)
80dB
输入偏置电流(Ib)
20uA
输入失调电压(Vos)
1mV

描述THS4513-SP 抗辐射 V 类宽带全差动放大器

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  • ￥10405.844509
订货79-81个工作日
库存
5000
增量
25
最小包装
25个
个

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预售商品
CNU113-314-2301-VE
CNU113-314-2301-VE
品牌
YAMAICHI
封装
-
类目
金手指连接器
编号
C6489773

RoHS

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  • 对比
  • ￥203.83
  • ￥81.33
  • ￥78.62
  • ￥77.27
需订货
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