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- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- IGBT；MOSFET
- 驱动通道数
- 2
- 灌电流(IOL)
- 2.3A
描述2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件，在半桥配置中，其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力
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