2N7002KW_2N7002KW采购信息-立创电子元器件商城

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- 场效应管(MOSFET)
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- CJ(江苏长电/长晶)
- PANJIT(强茂)
- MCC(美微科)
- BORN(伯恩半导体)
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- Slkor(萨科微)
- VBsemi(微碧半导体)
- LGE(鲁光)
- TECH PUBLIC(台舟)
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- YFW(佑风微)
- 晶扬电子
- CBI(创基)
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- onsemi(安森美)
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2N7002KW

品牌: onsemi(安森美)

封装: SC-70

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C266797

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 310mA

导通电阻(RDS(on)): 1.6Ω@10V

描述特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装。这些器件无铅且符合RoHS标准。按照JESD22 A114，静电放电人体模型（HBM）为1000V。按照JESD22 C101，静电放电带电器件模型（CDM）为1500V

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SMT补贴嘉立创库存1690

收藏
对比

5+￥0.6717
50+￥0.5374
150+￥0.4703
500+￥0.4199
3000+￥0.3587
6000+￥0.3386

现货最快4小时发货

广东仓: 1560

3000个/卷

个

总额￥0

近期成交72单

2N7002KW

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224237

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.85Ω@10V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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SMT补贴嘉立创库存30K+

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对比

20+￥0.1526
200+￥0.1162
600+￥0.0959
3000+￥0.0838
9000+￥0.0732
21000+￥0.0675

现货最快4小时发货

广东仓: 29K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交57单

L2N7002KWT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SC-70

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2912011

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 380mA

导通电阻(RDS(on)): 2.7Ω@5V

描述特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。具备ESD保护

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SMT补贴嘉立创库存21K+

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对比

20+￥0.1651
200+￥0.1296
600+￥0.1098
3000+￥0.098
9000+

现货最快4小时发货

广东仓: 20K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

2N7002KW

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C504047

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

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SMT补贴嘉立创库存17K+

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对比

20+￥0.1719
200+￥0.1362
600+￥0.1164
3000+￥0.1045
9000+￥0.0942

现货最快4小时发货

广东仓: 16K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

2N7002KW

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47283700

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V；3Ω@10V

描述类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 300mA

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对比

20+￥0.1412
200+￥0.111
600+￥0.0942
3000+￥0.0841
9000+￥0.0754

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 13K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

2N7002KW

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18212684

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 4Ω@4.5V

描述场效应管(MOSFET)

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SMT补贴嘉立创库存4171

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对比

50+￥0.1281
500+￥0.1011
3000+￥0.0861
6000+￥0.0771
24000+￥0.0693
51000+￥0.065

现货最快4小时发货

广东仓: 4150

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

2N7002KW

品牌: Siliup(矽普)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41349568

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.7Ω@10V；1.8Ω@4.5V

描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.3A, Rdson：1100mR

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对比

50+￥0.0829
500+￥0.0641
3000+￥0.0547

现货最快4小时发货

广东仓: 4450

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

2N7002KW

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2847214

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2.3Ω@10V

描述超高密度单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），可靠耐用。采用SOT - 323表面贴装封装。静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）>2000V

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SMT补贴嘉立创库存2805

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对比

20+￥0.1484
200+￥0.116
600+￥0.098
3000+￥0.0865
9000+￥0.0771
21000+￥0.072

现货最快4小时发货

广东仓: 2780

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

2N7002KW

品牌: LGE(鲁光)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20618081

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 4Ω@4.5V

描述特性：低RDS(on)@VGS = 10V。5V逻辑电平控制。N沟道。SOT323封装。ESD保护。无铅，符合RoHS标准。应用：逻辑电平转换器。高速线路驱动器

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SMT补贴嘉立创库存2140

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对比

9折

20+￥0.14958
200+￥0.11655
600+￥0.09819
3000+￥0.08712
9000+￥0.07758
21000+￥0.07245

现货最快4小时发货

广东仓: 2140

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

JTD2N7002KW

品牌: JTD(晶泰达)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42443451

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V

描述60V,340MA,10V内阻2.5Ω

RoHS

收藏
对比

50+￥0.0856
500+￥0.0667
3000+￥0.0562
6000+￥0.0499
24000+￥0.0444
51000+￥0.0415

现货最快4小时发货

广东仓: 3600

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

2N7002KW

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7507458

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

描述这款消费级N沟道MOSFET封装为SOT-323，具有60V高击穿电压及0.1A电流容量，特别适合于低功耗电子设备的电源管理与精准开关应用。其微型尺寸与高效性能相结合，提供理想的电路设计解决方案。

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SMT补贴嘉立创库存209

收藏
对比

8折

20+￥0.11552
200+￥0.09056
600+￥0.07672
3000+￥0.06584
9000+￥0.05864
21000+￥0.05472

现货最快4小时发货

广东仓: 200

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

2N7002KW

品牌: Slkor(萨科微)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5186018

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(on)）。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

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SMT补贴嘉立创库存2820

收藏
对比

50+￥0.1202
500+￥0.0943
3000+￥0.077
6000+￥0.0684
24000+￥0.0609
51000+￥0.0568

现货最快4小时发货

广东仓: 2750

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

2N7002KW

品牌: HT(金誉)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48783011

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 4Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，低导通电阻RDS(on)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

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SMT补贴嘉立创库存4916

收藏
对比

9.5折

20+￥0.149815
200+￥0.117515
600+￥0.09956
3000+￥0.088825
9000+￥0.079515
21000+￥0.07448

现货最快4小时发货

广东仓: 4900

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

2N7002KW

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2898688

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V；3Ω@10V

描述特性：低导通电阻：RDS(ON)。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。ESD 保护 2KV HBM

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SMT补贴嘉立创库存2945

收藏
对比

20+￥0.2061
200+￥0.1624
600+￥0.1381
3000+￥0.1153
9000+￥0.1027
21000+￥0.0959

现货最快4小时发货

广东仓: 2900

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

2N7002KW

品牌: CBI(创基)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5362104

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 5Ω@10V

描述电流:380mA 电压:60V

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SMT补贴嘉立创库存1669

收藏
对比

20+￥0.1452
200+￥0.1123
600+￥0.094
3000+￥0.083
9000+￥0.0735
21000+￥0.0684

现货最快4小时发货

广东仓: 1640

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

2N7002KWX

品牌: 晶扬电子

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7434075

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 5Ω@10V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护栅极，HBM 2KV。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

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SMT补贴嘉立创库存4133

收藏
对比

9.3折

20+￥0.148149
200+￥0.115413
600+￥0.097185
3000+￥0.086304
9000+￥0.076818
21000+￥0.071703

现货最快4小时发货

广东仓: 4120

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

2N7002KW

品牌: KUU

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41417501

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 5.3Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC 转换器

RoHS

收藏
对比

8.8折

50+￥0.049544
500+￥0.0484
3000+￥0.047608
6000+￥0.046904

需订货

广东仓: 0

3000个/圆盘

个

总额￥0

2N7002KW-TP

品牌: MCC(美微科)

封装: SOT-323-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2975470

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 5.3Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现低RDS(on)。电压控制小信号开关。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。无卤“绿色”器件。无铅涂层，符合RoHS标准

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SMT补贴嘉立创库存143

收藏
对比

20+￥0.1526
200+￥0.1213
600+￥0.1039

现货最快4小时发货

广东仓: 140

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

2N7002KW

品牌: DIYI(迪一/芯诺)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18164535

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@4.5V

描述特性：高密度单元设计，实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力

收藏
对比

5折

10+￥0.1926
100+￥0.15225
300+￥0.13205
3000+￥0.11695
6000+￥0.10485
9000+￥0.0988

现货最快4小时发货

广东仓: 1340

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

2N7002KWHE3-TP

品牌: MCC(美微科)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3290102

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@4.5V

描述特性：无卤。 “绿色”器件。通过AEC-Q101认证。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。电压控制小信号开关。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。防潮等级1级。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

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SMT补贴嘉立创库存320

收藏
对比

20+￥0.2131
200+￥0.1693
600+￥0.145

现货最快4小时发货

广东仓: 320

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

2N7002KW_R1_00001

品牌: PANJIT(强茂)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C313495

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 115mA

导通电阻(RDS(on)): 4Ω@4.5V

描述N-CH 60V 115mA

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SMT补贴嘉立创库存4482

收藏
对比

10+￥0.4174
100+￥0.3345
300+￥0.293
3000+￥0.2619

现货最快4小时发货

广东仓: 4450

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

2N7002KW-AU_R1_000A1

品牌: PANJIT(强茂)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6997133

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 250mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

描述特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 3Ω。RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 4Ω。先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。关断状态下漏电流极低。专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计：继电器、显示器、存储器等。ESD保护2KV HBM。通过AEC-Q101认证。符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料

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SMT补贴嘉立创库存346

收藏
对比

10+￥0.2721
100+￥0.2121
300+￥0.1821

现货最快4小时发货

广东仓: 340

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

AD-2N7002KW

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2975698

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V

描述特性：高密度单元设计，实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。ESD保护。通过AEC-Q101认证。应用：便携式设备负载开关。DC/DC转换器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存180

收藏
对比

10+￥0.2808
100+￥0.2237
300+￥0.1951

现货最快4小时发货

广东仓: 180

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

2N7002KW-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SC70-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7463466

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 250mA

耗散功率(Pd): 300mW

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

收藏
对比

100+￥0.324
1000+￥0.312
3000+￥0.3
6000+￥0.276
10000+￥0.2688

订货3-5个工作日

库存: 3000

增量: 1

最小包装: 3000个

个

总额￥0

预售商品

GS2N7002KW

品牌: GOOD-ARK(固锝)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19840810

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V

耗散功率(Pd): 350mW

阈值电压(Vgs(th)): 2.5V

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收藏
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