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- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 32V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
描述特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。与2SD1664互补
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- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 1A
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- 32V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
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- PNP
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- 1A
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- 32V
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- 500mW
描述特性：低集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)），与2SD1664互补
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- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 32V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
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- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 1A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 32V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
描述特性：低VCE(sat)：与2SD1664互补
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