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- 数量
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- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
描述UTC 4N60K 是一款高压功率 MOSFET，其设计具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低，且具有高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC - DC 转换器和桥接电路等高速开关应用中。
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SMT补贴嘉立创库存1980
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