- 类目
- 逻辑输出光耦
- 晶体管输出光耦
多选 - 品牌
- EVERLIGHT(亿光)
- onsemi(安森美)
- LITEON(光宝)
- ISOCOM(英国安数光)
- CT MICRO
- Orient(奥伦德)
- GME(银河微电)
- OCIC(卓睿科)
- XINGLIGHT(成兴光)
- Hengtuo(恒拓电子)
- 拓朴微
多选 - 封装
- SMD-8P
- SOP-8-2.54mm
- SOP-8
- SOP-8-6.5mm-2.54mm
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 输入类型
- DC
- 输出类型
- 光电三极管
- 正向压降(Vf)
- 1.1V
- 输出电流
- 50mA
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥1.1337
- ¥0.4524
- ¥0.4373
- ¥0.4298
50个/管
总额¥0
- 输入类型
- DC
- 工作电压
- -500mV~18V
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 10kV/us
描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。
- 收藏
- 对比
- ¥7.73
- ¥6.24
- ¥5.5
- ¥4.77
- ¥3.96
- ¥3.73
- 现货
- 42
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交31单
- 输入类型
- DC
- 正向压降(Vf)
- 1.3V
- 输出电流
- 60mA
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
描述共模瞬变抗扰度CMTI:1KV/us 传播延迟TPLH/TPHL:60us/25us
- 收藏
- 对比
- ¥2.2603
- ¥1.7686
- ¥1.5578
- ¥1.2949
- 现货
- 1755
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交11单
描述工业级 达林顿光耦 符合欧盟RoHS指令;ROHS、HF(无卤)安全认证:CQC、VDE、UL 应用于工业自动化与电力控制系统,主要做整流及电路保护的作用
- 收藏
- 对比
- ¥2.3581
- ¥1.8641
- ¥1.6525
- ¥1.3884
- 现货
- 1000
1000个/圆盘
总额¥0
- 输入类型
- DC
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 10kV/us
- CTR-电流传输比
- 400%
描述6N139 是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。采用 8 引脚封装。
- 收藏
- 对比
- ¥3.681
- ¥2.979
- ¥2.628
- ¥2.286
- ¥2.079
- ¥1.971
- 现货
- 788
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交2单
- 输入类型
- DC
- 工作电压
- -500mV~18V
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 10kV/us
描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。
- 收藏
- 对比
- ¥6.62
- ¥5.35
- ¥4.71
- ¥4.09
- ¥3.71
- 现货
- 620
50个/管
总额¥0
近期成交2单
- 输入类型
- DC
- 工作电压
- 4.5V~5.5V
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 10kV/us
描述这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,以在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要,Vcc 和 Vo 端子可连接在一起,以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。
- 收藏
- 对比
- ¥3.04
- ¥2.43
- ¥2.17
- 现货
- 64
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交5单
描述CY6N138、CY6N139光耦合器由一个AlGaAs LED和一个高增益分离达林顿光电探测器组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容,用于光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚DIP/SMD封装,具有不同的引线形成选项。
- 收藏
- 对比
- ¥2.58
- ¥2.04
- ¥1.8
- ¥1.51
- 现货
- 100
1000个/圆盘
总额¥0
近期成交3单
- 输入类型
- DC
- 工作电压
- 4.5V~18V
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 1kV/us
描述由红外发光二极管组成,光耦合到高增益分离达林顿光电探测器。采用8引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD选项。
- 收藏
- 对比
- ¥2.29
- ¥1.78
- ¥1.57
- 现货
- 11
50个/管
总额¥0
近期成交1单
- 输入类型
- DC
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 1kV/us
- CTR-电流传输比
- 400%
描述6N138和6N139光耦合器由一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个高增益分立式达林顿光电探测器光耦合而成。极低的0.5mA输入电流与高达2000%的高电流传输比相结合,使得该系列产品特别适用于MOS、CMOS、低功耗肖特基TTL(LSTTL)和EIA RS232C的输入接口,同时也能确保输出与CMOS以及高扇出TTL要求兼容。
- 收藏
- 对比
- ¥3.46
- ¥2.73
- ¥2.42
- 现货
- 4
1000个/圆盘
总额¥0
- 输入类型
- DC
- 输出类型
- 光电三极管
- 正向压降(Vf)
- 1.1V
- 输出电流
- 50mA
描述消费级
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥2.77
- ¥2.05
- ¥1.74
- ¥1.36
- ¥1.19
- ¥1
1000个/圆盘
总额¥0
- 输入类型
- DC
- 工作电压
- -500mV~18V
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 1kV/us
描述6N138和6N139光耦合器由一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个高增益分立式达林顿光电探测器光耦合而成。极低的0.5mA输入电流与高达2000%的高电流传输比相结合,使得该系列产品特别适用于MOS、CMOS、低功耗肖特基TTL(LSTTL)和EIA RS232C的输入接口,同时也能确保输出与CMOS以及高扇出TTL要求兼容。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥2.6
- ¥2.05
- ¥1.81
- ¥1.51
- ¥1.38
- ¥1.3
1000个/圆盘
总额¥0
- 收藏
- 对比
描述高速光耦,可满足各式各样的工业控制板需求,包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型:DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps,CMRS1000V/us,隔离电压:5KV.
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥2.4572
- ¥0.9805
- ¥0.9477
- ¥0.9315
1000个/卷
总额¥0
- 输入类型
- DC
- 输出类型
- 光电三极管
- 正向压降(Vf)
- 1.3V
- 输出电流
- 60mA
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥11.85
- ¥4.73
- ¥4.57
- ¥4.5
1000个/圆盘
总额¥0
- 输入类型
- DC
- 输出类型
- 达林顿晶体管
- 正向压降(Vf)
- 1.3V
- 输出电流
- 60mA
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ¥9.8
- ¥3.91
- ¥3.78
- ¥3.72
1000个/圆盘
总额¥0
- 输入类型
- DC
- 工作电压
- -500mV~18V
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
- CMTI(kV/us)
- 10kV/us
描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ¥3.47892
- 库存
- 250K
- 增量
- 1000
- 最小包装
- 1000个
总额¥0














