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6N139V
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-8
类目
晶体管输出光耦
编号
C17394441
正向压降(Vf)
1.3V
输出电流
60mA
隔离电压(Vrms)
2.5kV
输出通道数
1

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1000/

总额0

6N139-V
品牌
EVERLIGHT(亿光)
封装
DIP-8
类目
晶体管输出光耦
编号
C17307022
输入类型
DC
输出类型
光电三极管
正向压降(Vf)
1.3V
输出电流
60mA

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DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
6N139VM
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-8
类目
逻辑输出光耦
编号
C898999
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
10kV/us

描述6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

RoHS

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250K
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1000
最小包装
1000个

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替代参考
高速光耦
输入类型
DC
工作电压
-500mV~18V
隔离电压(Vrms)
5kV
CMTI(kV/us)
1kV/us

描述输入类型:DC,隔离电压(rms): 5kV,传播延迟tpLH/tpHL: 60us;25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, DIP8

RoHS

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