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- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述双极结型晶体管 (BJT) 设计满足汽车应用的严格要求。
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个
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- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款PNP型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流IC，适合处理中低功率需求。其最大集电极-发射极电压VCEO为45V，确保在宽电压范围内的稳定操作。直流电流增益HFE在200到450之间，提供了良好的信号放大性能。特征频率FT达到100MHz，表明它能够支持高速开关应用而不失真。此三极管特别适用于无线通信设备、消费电子产品以及需要高精度和快速响应的电路中，用于信号放大与控制。
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