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- 输入类型
- DC
- 工作电压
- 3V~3.6V；4.5V~5.5V
- 隔离电压(Vrms)
- 3.75kV
- CMTI(kV/us)
- 15kV/us
描述是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以实现极低功耗的出色性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都包含一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。
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描述是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都包含一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。
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