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- 数量
- 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 270mW
描述特性：外延平面芯片结构。 内置偏置电阻。 表面贴装封装，适合自动组装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
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