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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个PNP-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 310mW
描述特性：外延平面芯片结构。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 收藏
- 对比
- ￥0.3631
- ￥0.2885
- ￥0.2512
- ￥0.2233
- ￥0.2009
现货最快4小时发货
- 现货
- 8810
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
替代参考
- 数量
- 1个PNP-预偏置
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 30
描述数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号，同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。
- 收藏
- 对比
8折
- ￥0.11016
- ￥0.0864
- ￥0.0732
- ￥0.06528
- ￥0.0584
- ￥0.05472
现货最快4小时发货
- 现货
- 2800
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
