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AO3404A

品牌: AOS

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C30010

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@4.5V

描述N沟道,30V,5A,32mΩ@10V

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AO3404A

品牌: UMW(友台半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C347497

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V

描述特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@VGS = 10V

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AO3404A

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5224205

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6.2A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V

描述N沟道，30V，6.2A，17mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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AO3404A

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7603369

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 31mΩ@10V

描述特性：VDS = 30V, ID = 5.8A，RDS(ON) < 31mΩ @ VGS = 10V，RDS(ON) < 43mΩ @ VGS = 4.5V。高功率和电流处理能力。获取无铅产品。表面贴装封装。应用：负载开关。PWM应用

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AO3404A-JSM

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18189324

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V；25mΩ@4.5V

描述便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

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AO3404A

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5379100

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V

描述特性：30V、6.0A，RDS(ON) = 18mΩ @VGS = 10V。改善的dv/dt能力。快速开关。有绿色环保器件。应用：MB / VGA / Vcore。负载开关

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AO3404A-GK

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456338

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V

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AO3404A-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22367322

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@10V

描述型号AO3404A 的高性能N沟道MOS管，采用了节省空间的SOT-23-3L封装，便于在紧凑型电路板上集成。其关键电气参数表现出色，最大工作电压VDSS高达30V，连续电流ID承载能力高达5.8A，充分满足高功率应用需求。尤为突出的是，导通电阻RD(on)仅为22mR，以极低的功率损耗实现了更高的工作效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机控制、LED驱动等多个领域，是您提升电路性能、优化能源利用的理想元件选择。

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AO3404A

品牌: ChipNobo(无边界)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42419947

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 42mΩ@4.5V

描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,5.8A

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AO3404A

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7422631

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 31mΩ@4.5V

描述特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

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AO3404A

品牌: baocheng(宝乘)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48678026

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 36mΩ@4.5V

描述漏源电压:30V 连续漏极电流:5.8A 导通电阻:36mΩ@4.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：1V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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SMT补贴嘉立创库存2440

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AO3404A-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: SOT-23(TO-236)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19711221

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6.5A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；