- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- UMW(友台半导体)
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- Siliup(矽普)
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- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 130mΩ@4.5V
描述P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10V
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥2.81
- ￥2.21
- ￥1.95
- ￥1.63
- ￥1.48
- ￥1.4
- 广东仓
- 1437
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 8.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 23mΩ@10V
描述该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥2.79
- ￥2.17
- ￥1.91
- ￥1.58
- ￥1.44
- ￥1.35
- 广东仓
- 5817
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 145mΩ@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥1.7722
- ￥1.3841
- ￥1.2178
- ￥1.0103
- ￥0.8717
- ￥0.8162
- 广东仓
- 690
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V；102mΩ@4.5V
描述特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低栅极电荷。 VDS(V) = -60V。 ID = -4A（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 130mΩ（VGS = -4.5V）
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥1.1135
- ￥0.8731
- ￥0.7701
- ￥0.6416
- ￥0.5844
- ￥0.55
- 广东仓
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V；63mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥2.3895
- ￥2.301
- ￥2.124
- ￥2.0355
- ￥1.947
- 库存
- 4000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 4000个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@10V
描述HSM6113 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6113 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥1.242
- ￥0.99
- ￥0.882
- ￥0.7472
- ￥0.6186
- ￥0.5826
- 广东仓
- 2495
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V
描述中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V,电流：-5A,RDSON:60mR
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- 对比
- ￥0.5507
- ￥0.4341
- ￥0.3757
- 广东仓
- 215
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@10V
描述P管/-60V/-5A/100mΩ/(典型80mΩ)
RoHS
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- 对比
- ￥0.4058
- ￥0.3232
- ￥0.282
- ￥0.251
- ￥0.2262
- ￥0.2138
- 广东仓
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
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