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- 30V
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- 7A；5A
- 导通电阻(RDS(on))
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- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
描述AO4630 N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有良好的兼容性和散热性能。该器件能够在30V的额定电压下稳定工作，提供强大的7A连续电流驱动能力，并展现出优异的15mΩ导通电阻，有效保障了系统高效运作与低能耗。广泛应用于电源管理、马达驱动、负载开关等场合，是提升电子设备性能和能效的理想选择。
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- 漏源电压(Vdss)
- 30V
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- 7.2A
- 耗散功率(Pd)
- 2W
描述适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
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