AON7403

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

PDFN-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5310961

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

50A

导通电阻(RDS(on))

8mΩ@10V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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AON7403(ES)

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

PDFN-8L(3x3)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42412244

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

31A

导通电阻(RDS(on))

13mΩ@10V；17mΩ@4.5V

描述AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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AON7403-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

DFN-8L(3x3)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C51908770

描述此款AON7403-MS高性能P沟道MOSFET，采用 DFN3X3-8L 小型封装，精准适配高密度、低电阻应用设计需求；30V 电压下可稳定运行，且能提供 40A 连续电流，尤其适配电源开关、负载驱动等场景；13mΩ 低导通电阻有效减少功率损耗，实现卓越能效，是紧凑型、高效能电子设计的理想选择。

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AON7403-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN-8(3x3)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22367078

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

40A

导通电阻(RDS(on))

15mΩ@10V

描述AON7403 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型DFN3X3-8L封装，专为高密度、低电阻应用设计。器件能在30V电压下稳定工作，提供高达40A的连续电流，尤其适用于电源开关、负载驱动等场合。其导通电阻仅为13mΩ，有效减少了功率损耗，实现了卓越的能效表现。AON7403 MOS管是紧凑型、高效能电子设计的理想之选。

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JSM7409B

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

PDFN3X3-8L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2874718

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

10A

导通电阻(RDS(on))

30mΩ@4.5V

描述为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。

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JSM7409

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

DFN-8(3.3x3.3)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2874717

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

32A

导通电阻(RDS(on))

15mΩ@10V

描述采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

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WSD30L30DN33

品牌

WINSOK(微硕)

封装

WDFN-8(3.3x3.3)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C719099

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

32A

导通电阻(RDS(on))

15mΩ@4.5V

描述Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -32 VGS(th)(v) -1.8 RDS(ON)(m?)@4.177V 24 Qg(nC)@4.5V 20 QgS(nC) 1.1 Qgd(nC) 7.7 Ciss(pF) 1000 Coss(pF) 220 Crss(pF) 170

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HSBB3103

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

PRPAK3x3-8L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C508818

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

32A

导通电阻(RDS(on))

20mΩ@4.5V

描述HSBB3103是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB3103符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。

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