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N沟道MOS管
AUP034N06
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18722999
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
210A
导通电阻(RDS(on))
3.4mΩ@10V

描述特性:低漏源导通电阻:RDS(on) = 3mΩ(典型值)。 高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。应用:开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速 DC/DC 电路

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N沟道 耐压:100V 电流:195A
AUP034N10
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18199768
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
195A
导通电阻(RDS(on))
3.4mΩ@10V

描述特性:低漏源导通电阻。 TO220&TO263 RDS(on) = 2.8mΩ (典型值)。 TOLL-8L RDS(on) = 2.4mΩ (典型值)。 高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。应用:开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速直流/直流电路

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