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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 123A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.4mΩ
描述特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 6.5mΩ(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.4 至 3.4V。应用:单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
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