- 类目
- 三极管(BJT)
- 数字晶体管
多选 - 品牌
- Nexperia(安世)
- onsemi(安森美)
- NXP(恩智浦)
- Infineon(英飞凌)
- PANJIT(强茂)
- JSMSEMI(杰盛微)
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- YANGJIE(扬杰)
- DIODES(美台)
- LRC(乐山无线电)
- YFW(佑风微)
- CBI(创基)
- LGE(鲁光)
- GOODWORK(固得沃克)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- MCC(美微科)
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
- Hottech(合科泰)
- Slkor(萨科微)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-323(SC-70)
- DFN-3(1.2x1.4)
- DFN-3(1x1.1)
- SOT-23-6
- DFN-3(1x1)
- DFN-6(1.2x1.4)
- SOD-323(SC-90)
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- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1694
- ￥0.13
- ￥0.1125
- ￥0.0979
- ￥0.0926
- ￥0.0891
- 现货
- 239K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述hFE:250-630，丝印:5C
- 收藏
- 对比
- ￥0.1276
- ￥0.1016
- ￥0.0842
- ￥0.0756
- ￥0.0681
- ￥0.064
- 现货
- 142K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
- 收藏
- 对比
- ￥0.0963
- ￥0.0767
- ￥0.0658
- ￥0.0593
- ￥0.0537
- ￥0.0506
- 现货
- 53K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交84单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述这款三极管为PNP型，适用于低电流、中等电压的应用场景。其电流为0.5A，电压可达45V，放大倍数在250-600之间，频率响应达到100MHz。该元器件具有优良的放大性能和较高的频率响应能力，可广泛应用于各类电子系统中。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0954
- ￥0.0764
- ￥0.0639
- ￥0.0575
- ￥0.052
- ￥0.0491
- 现货
- 105K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交55单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 600mW
描述采用SOT457（SC - 74）塑料封装的PNP/PNP通用双晶体管。NPN/NPN互补型：BC817DS；NPN/PNP互补型：BC817DPN。
- 收藏
- 对比
- ￥0.3886
- ￥0.3029
- ￥0.26
- ￥0.2279
- ￥0.2022
- ￥0.1893
- 现货
- 95K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交31单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：功率耗散：300mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值260℃
- 收藏
- 对比
- ￥0.109
- ￥0.0858
- ￥0.073
- ￥0.0652
- ￥0.0586
- ￥0.0549
- 现货
- 9450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交30单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述采用超小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.5328
- ￥0.4189
- ￥0.362
- ￥0.3193
- ￥0.2852
- ￥0.2681
- 现货
- 18K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交49单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 345mW
描述采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.562
- ￥0.4828
- ￥0.4432
- ￥0.4135
- ￥0.3897
- ￥0.3779
- 现货
- 7980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交31单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：与BC817互补。 高集电极电流。 外延平面管芯结构。 高电流增益。 表面贴装器件
- 收藏
- 对比
- ￥0.10773
- ￥0.08569
- ￥0.069825
- ￥0.06251
- ￥0.056145
- ￥0.052725
- 现货
- 21K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交73单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
- 收藏
- 对比
- ￥0.1143
- ￥0.09
- ￥0.0765
- ￥0.0684
- ￥0.0614
- 现货
- 28K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交87单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.29
- ￥0.238
- ￥0.2119
- ￥0.1924
- ￥0.1768
- ￥0.169
- 现货
- 13K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交79单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 收藏
- 对比
- ￥0.1352
- ￥0.1061
- ￥0.0899
- 现货
- 1600
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 290mW
描述采用超小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.3852
- ￥0.3313
- ￥0.3013
- ￥0.2725
- ￥0.2569
- ￥0.2485
- 现货
- 5740
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.3963
- ￥0.3128
- ￥0.271
- ￥0.2311
- ￥0.206
- ￥0.1935
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 310mW
描述特性：理想适用于自动插入。 外延平面芯片结构。 有互补NPN类型（BC817）。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 收藏
- 对比
- ￥0.3379
- ￥0.2722
- ￥0.2394
- ￥0.2148
- ￥0.1951
- ￥0.1853
- 现货
- 9300
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交24单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2283
- ￥0.1757
- ￥0.1464
- ￥0.1289
- ￥0.1137
- ￥0.1055
- 现货
- 11K+
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交31单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 与BC817W互补
- 收藏
- 对比
- ￥0.164
- ￥0.1294
- ￥0.1102
- ￥0.0987
- ￥0.0887
- 现货
- 10K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交26单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管 IC大，与 BC817 互补。用于一般功率放大及开关电路。放大倍数可选
- 收藏
- 对比
- ￥0.0929
- ￥0.0724
- ￥0.061
- ￥0.0541
- 现货
- 14K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
- 收藏
- 对比
- ￥0.08442
- ￥0.06741
- ￥0.05526
- ￥0.04959
- ￥0.04464
- ￥0.04203
- 现货
- 6450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交16单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
- 收藏
- 对比
- ￥0.100415
- ￥0.078375
- ￥0.06612
- ￥0.05871
- ￥0.050635
- ￥0.047215
- 现货
- 5320
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交27单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 345mW
描述采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
- 收藏
- 对比
- ￥0.5445
- ￥0.4446
- ￥0.3947
- ￥0.3572
- ￥0.3272
- ￥0.3122
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交21单
- 收藏
- 对比
- ￥0.0701
- ￥0.0685
- ￥0.0675
- ￥0.0665
- 现货
- 6460
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
- 收藏
- 对比
- ￥0.1117
- ￥0.086
- ￥0.0717
- ￥0.0631
- ￥0.0557
- ￥0.0517
- 现货
- 2800
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交16单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：VCE = -45V。 IC = -0.5A。 fT = 100MHz @ VCE = -5V，IC = -10mA，f = 100MHz。 高IC，与BC817互补对。 适用于一般功率放大器和开关应用
- 收藏
- 对比
- ￥0.1063
- ￥0.082
- ￥0.0685
- ￥0.0604
- 现货
- 7400
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述特性：集电极电流能力：Ic = 500 mA。 集电极-发射极电压：VCEO(max) = 45 V。 通用开关和放大。 PNP 互补：LBC807 系列。 产品材料符合 RoHS 要求
- 收藏
- 对比
- ￥0.1145
- ￥0.0905
- ￥0.0771
- ￥0.065
- ￥0.0581
- 现货
- 17K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域
- 收藏
- 对比
- ￥0.059
- ￥0.0577
- ￥0.0568
- 现货
- 4250
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述电流500MA 电压45V 放大倍数160-400
- 收藏
- 对比
- ￥0.0899
- ￥0.0705
- ￥0.0597
- ￥0.0532
- ￥0.0476
- ￥0.0446
- 现货
- 4350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.109152
- ￥0.085344
- ￥0.072096
- ￥0.064128
- ￥0.057216
- ￥0.053472
- 现货
- 2450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述PNP 电流:500mA 耐压:45V (hFE):600@100mA,1V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.09291
- ￥0.07239
- ￥0.06099
- ￥0.05415
- ￥0.048165
- ￥0.04503
- 现货
- 4150
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC817（NPN）
- 收藏
- 对比
- ￥0.0874
- ￥0.0699
- ￥0.0559
- ￥0.0507
- ￥0.05
- ￥0.048
- 现货
- 500
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
