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NPN 电流:100mA 电压:30V
BC848AW
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C5240612
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
150mW

描述特性:非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用

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现货
2950

3000/圆盘

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近期成交3单

NPN 电流:0.1A 电压:30V
BC848AW
品牌
YANGJIE(扬杰)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C968088
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

描述BC848AW-F2-0000HF

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近期成交1单

BC848AW
BC848AW
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C51814184

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NPN 电流:100mA 电压:30V
BC848AW-7-F
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C260877
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:非常适合自动插入。 互补PNP类型。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

RoHS

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库存
2557
增量
1
最小包装
3000个

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BC848AWHE3-TP
BC848AWHE3-TP
品牌
MCC(美微科)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C19984510
晶体管类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW
特征频率(fT)
150MHz

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BC848AW_R1_00001
品牌
PANJIT(强茂)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C6129175
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
250mW

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120000/圆盘

总额0

晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

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BC848AWT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
-
类目
三极管(BJT)
编号
C3195523
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
150mW

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BC848AWT1
品牌
onsemi(安森美)
封装
-
类目
三极管(BJT)
编号
C3197334

SMT扩展库

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