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    • 三极管(BJT)
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    • Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
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NPN开关晶体管
BC848BW
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C49190736
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
150mW

描述特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用

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2250

3000/圆盘

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近期成交2单

NPN 电流:100mA 电压:30V
BC848BW
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C5240613
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
150mW

描述特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用

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近期成交1单

NPN 电流:0.1A 电压:30V
BC848BW
品牌
YANGJIE(扬杰)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C968090
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

描述BC848BW-F2-0000HF

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2560

3000/圆盘

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近期成交2单

BC848BW
BC848BW
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C47344295

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3000

3000/圆盘

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NPN 电流:100mA 电压:30V
BC848BW
品牌
XCH(旭昌辉)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C19712572
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

描述贴片三极管 NPN/Vceo:30V/Ic:200mA/Pd:200mW/hFE:200-450 /Marking:1K

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3000/圆盘

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NPN 电流:100mA 电压:30V
LBC848BWT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SC-70
类目
三极管(BJT)
编号
C976199
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
150mW

描述特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序(PPAP)能力

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现货
2860

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

NPN 电流:100mA 电压:30V
BC848BWT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SC-70(SOT-323)
类目
三极管(BJT)
编号
C462975
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

描述此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适合低功率表面贴装应用。

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现货
5

3000/圆盘

总额0

NPN 电流:100mA 电压:30V
BC848BW-7-F
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C5248617
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:非常适合自动插入。 互补PNP类型。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

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现货
100

3000/

总额0

NPN 电流:0.1A 电压:30V
BC848BWT106
品牌
ROHM(罗姆)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C600677
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:BVceo minimum is 30V (lc=1mA)。 Complements the BC858B/BC858BW

RoHS

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订货3-5个工作日
库存
2736
增量
1
最小包装
3000个

总额0

BC848BWHE3-TP
BC848BWHE3-TP
品牌
MCC(美微科)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C7085379
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

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  • 对比
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  • 0.2266
  • 0.2024
  • 0.183
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3000/圆盘

总额0

BC 848BW H6327
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOT-23-3
类目
三极管(BJT)
编号
C533749

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  • 对比
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  • 0.1339
  • 0.1292
  • 0.1269
需订货

3000/圆盘

总额0

NSVBC848BWT1G
NSVBC848BWT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-323-3
类目
三极管(BJT)
编号
C889794
晶体管类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
200

描述此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适合低功率表面贴装应用。

RoHS

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订货65-67个工作日
库存
1KK
增量
3000
最小包装
3000个

总额0

BC848BW_R1_00001
品牌
PANJIT(强茂)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C6470208
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
250mW

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  • 0.118
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120000/圆盘

总额0

晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
30V
耗散功率(Pd)
200mW

RoHSSMT扩展库

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3000/圆盘

总额0