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操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述NPN晶体管采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
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个
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 65V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流（IC）和65V的集电极-发射极电压（VCEO），非常适合于需要高电压处理能力的应用场景。其直流电流增益（HFE）范围为200至450，确保了信号放大的高效性和稳定性。该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，适用于高频工作环境。无论是用于音频放大、电源管理还是无线通信设备中，它都能提供可靠的支持，满足对性能和稳定性的严格要求。此款三极管是电子爱好者和专业设计师的理想选择。
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