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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@4.5V
描述TO-252 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
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- 对比
- ￥1.8239
- ￥1.4321
- ￥1.2643
- ￥1.0548
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