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1个N沟道 耐压:30V 电流:44A
BSC100N03MSG
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TDSON-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3276195
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
44A
导通电阻(RDS(on))
12mΩ@4.5V

描述特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 低FOM_SW,适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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替代参考
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
BSC100N03
品牌
KTP(科泰普)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22436719
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
4mΩ@10V

描述应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能

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替代参考
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
HSBA3058
品牌
HUASHUO(华朔)
封装
PRPAK5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C701047
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
8mΩ@10V

描述特性:100% EAS 保证。 有绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的 CdV/dt 效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:台式计算机或 DC/DC 转换器中的电源管理。 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器

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