收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- HUASHUO(华朔)
- KTP(科泰普)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- DFN-8(5x6)
- DFN-8
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数3
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 44A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@4.5V
描述特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 低FOM_SW,适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 收藏
- 对比
- ¥8.77
- ¥7.2
- ¥6.34
现货最快4小时发货
- 现货
- 3
5000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交4单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4mΩ@10V
描述应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能
- 收藏
- 对比
- ¥0.9056
- ¥0.7232
- ¥0.632
- ¥0.5636
- ¥0.5089
现货最快4小时发货
- 现货
- 4930
5000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V
描述特性:100% EAS 保证。 有绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的 CdV/dt 效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:台式计算机或 DC/DC 转换器中的电源管理。 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器
- 收藏
- 对比
- ¥1.2406
- ¥0.9909
- ¥0.8839
- ¥0.7504
现货最快4小时发货
- 现货
- 1100
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交3单




