收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- Tokmas(托克马斯)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- DFN-8(5x6)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 19mΩ@10V
描述特性：N 通道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 收藏
- 对比
- ￥5.2
- ￥4.23
- ￥3.74
- ￥3.25
- ￥2.61
- ￥2.46
现货最快4小时发货
- 现货
- 1657
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交51单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 53.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18.8mΩ@7.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，在轻型电动车、智能家居、医疗设备和LED照明等领域的广泛应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,150V；53.7A；RDS(ON)=15.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥10.234
- ￥8.7295
- ￥7.786
- ￥6.8255
- ￥6.3835
- ￥6.1965
现货最快4小时发货
- 现货
- 6
5000个/圆盘
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ
描述使用先进的SGT技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 收藏
- 对比
- ￥5.02
- ￥4.07
- ￥3.6
- ￥3.13
- ￥2.7
- ￥2.56
现货最快4小时发货
- 现货
- 169
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 13mΩ@10V
描述应用：负载开关。高频开关和同步整流。中间直流/直流电源中的有源钳位
- 收藏
- 对比
- ￥4.84
- ￥3.89
- ￥3.41
- ￥2.94
- ￥2.66
- ￥2.51
需订货
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交11单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 53.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15.8mΩ@10V；18.8mΩ@7.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，在轻型电动车、智能家居、医疗设备和LED照明等领域的广泛应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,150V；53.7A；RDS(ON)=15.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥7.644
- ￥7.056
- ￥6.9384
- ￥6.7032
- ￥6.5856
订货7-9个工作日
- 库存
- 5000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
