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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 760mΩ@4V
描述第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB 封装普遍适用于所有功率耗散水平约为 50 W 的商业-工业应用。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
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