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- 类目
- 温度保险丝(TCO)
- 场效应管(MOSFET)
- 静态随机存取存储器(SRAM)
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自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 47mΩ@10V;85mΩ@2.5V;60mΩ@4.5V
描述P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
- 收藏
- 对比
- ¥0.3649
- ¥0.2936
- ¥0.2569
- ¥0.2267
- ¥0.2161
- ¥0.209
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- 现货
- 1KK+
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交100单+
- 接口类型
- 并口(Parallel)
- 存储容量
- 512Kbit
- 工作电压
- 4.5V~5.5V
- 读写时间
- 70ns
SMT扩展库
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- 收藏
- 对比
- ¥3.12
- ¥1.21
- ¥1.17
- ¥1.15
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25个/管
个
总额¥0
- 额定电流
- 25A
- 额定动作温度(Tf)
- 77℃
RoHSSMT扩展库
私有库下单最高享92折
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- 对比
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个
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