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- FET类型
- 2个N沟道
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述低噪声低漂移单片双N沟道JFET放大器。特性包括低漂移、低噪声和低夹断电压。
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