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1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
STD17NF03L-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18191567
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
55A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V

描述便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗

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