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1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
STD20NF10T4-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18191569
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
36A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@4.5V,7A

描述采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供优异的Rps(on),可应用于多种应用领域。

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