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1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
FDD6030L-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18194162
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
12mΩ@4.5V,20A

描述电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

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