AP2309GEN-HF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C18212523

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.6A

导通电阻(RDS(on))

46mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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