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1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
LR3105-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18212616
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
25mΩ@10V

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

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