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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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