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1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
CSD18532KCS-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19626754
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
210A
导通电阻(RDS(on))
3mΩ@10V

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N沟道场效应管,采用Trench工艺制造,适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220;N—Channel沟道,60V;210A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~3.5V;

近期成交1单