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1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
20N60 TO220-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19626775
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
190mΩ@10V

描述TO220;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;

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